[发明专利]发光元件、发光装置以及发光元件的制造方法在审

专利信息
申请号: 201911111311.4 申请日: 2019-11-14
公开(公告)号: CN111192950A 公开(公告)日: 2020-05-22
发明(设计)人: 井上芳树;古波直人;池田忠昭 申请(专利权)人: 日亚化学工业株式会社
主分类号: H01L33/60 分类号: H01L33/60;H01L33/50
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 岳雪兰
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 发光 元件 装置 以及 制造 方法
【说明书】:

本发明提供一种发光元件、发光装置以及发光元件的制造方法,能够提高发光特性。根据实施方式,发光元件包括:光反射部件、第一、第二半导体层积体、基板以及波长转换部件。光反射部件包括第一、第二区域。第一半导体层积体设置在第一区域与第二区域之间,射出具有第一峰值波长的第一光。第二半导体层积体设置在第一半导体层积体与第二区域之间,射出具有第二峰值波长的第二光。基板设置在第一、第二半导体层积体之间。波长转换部件包括第一~第三部分。波长转换部件生成具有第三峰值波长的第三光。第一区域的一部分处在第一部分与第一半导体层积体的一部分之间。第二区域的一部分处在第二部分与第二半导体层积体的一部分之间。第一光及第二光在基板传播,并射入第三部分。

技术领域

本发明涉及发光元件、发光装置以及发光元件的制造方法。

背景技术

在发光元件中,要求良好的发光特性。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:(日本)实用新案登录第3197982号公报

发明所要解决的技术问题

本发明提供一种能够提高发光特性的发光元件、发光装置以及发光元件的制造方法。

发明内容

用于解决技术问题的技术方案

根据本发明的一个方式,发光元件包括:光反射部件、第一半导体层积体、第二半导体层积体、基板以及波长转换部件。所述光反射部件包括第一区域以及第二区域。所述第一半导体层积体设置在所述第一区域与所述第二区域之间,射出具有第一峰值波长的第一光。所述第二半导体层积体设置在所述第一半导体层积体与所述第二区域之间,射出具有与所述第一峰值波长不同的第二峰值波长的第二光。所述基板设置在所述第一半导体层积体与所述第二半导体层积体之间。所述波长转换部件包括:第一部分、第二部分、以及在从所述第一区域向所述第二区域的第一方向上设置在所述第一部分与所述第二部分之间且与所述基板对置的第三部分。向所述波长转换部件射入所述第一光及所述第二光。所述波长转换部件生成具有与所述第一峰值波长及所述第二峰值波长不同的第三峰值波长的第三光。所述光反射部件对所述第一光的反射率比所述波长转换部件对所述第一光的反射率高。所述光反射部件对所述第二光的反射率比所述波长转换部件对所述第二光的反射率高。所述第一区域的一部分在与所述第一方向正交的第二方向上,处在所述第一部分与所述第一半导体层积体的一部分之间。所述第二区域的一部分在所述第二方向上,处在所述第二部分与所述第二半导体层积体的一部分之间。所述第一光及所述第二光在所述基板传播,向所述第三部分射入。

根据本发明的一个方式,发光元件的制造方法包括准备包括第一基板及第一半导体层积体的第一发光部、以及包括第二基板及第二半导体层积体的第二发光部的工序。所述制造方法包括将所述第一发光部与所述第二发光部进行接合的工序,以使所述第一基板及所述第二基板处在所述第一半导体层积体与所述第二半导体层积体之间。所述制造方法包括形成覆盖所述接合的所述第一发光部及所述第二发光部的光反射部件的工序。所述制造方法包括除去所述光反射部件的一部分、使所述第一基板及所述第二基板的表面露出的工序。所述制造方法包括在所述第一基板及所述第二基板的所述表面上形成波长转换部件的工序。

根据本发明的一个方式,发光元件的制造方法包括准备第一发光部及第二发光部的工序。所述第一发光部包括:第一基板、第一光反射部件、以及设置在所述第一基板与所述第一光反射部件之间的第一半导体层积体。所述第二发光部包括:第二基板、第二光反射部件、以及设置在所述第二基板与所述第二光反射部件之间的所述第二半导体层积体。所述制造方法包括将所述第一发光部与所述第二发光部进行接合的工序,以使所述第一基板及所述第二基板处在所述第一半导体层积体与所述第二半导体层积体之间。所述制造方法包括除去所述第一光反射部件的一部分及所述第二光反射部件的一部分、使所述第一基板及所述第二基板的表面露出的工序。所述制造方法包括在所述露出的所述第一基板及所述第二基板的所述表面上形成波长转换部件的工序。

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