[发明专利]一种SiC MOSFET驱动电路

权利要求书

1.一种SiC MOSFET驱动电路，其特征在于：

所述SiC MOSFET驱动电路，包括MOS管SW₁、MOS管SW₂、MOS管SW₃、二极管D₁、二极管D₂、电阻R₁、电阻R₂、电阻R₃、电容C₁、MOS管S₁₀，所述MOS管SW₁的漏极同时连接电阻R₃的一端和供电电源的正极，MOS管SW₁的源极同时连接MOS管SW₂的漏极、二极管D₁的阴极和电阻R₁的一端，二极管D₁的阳极同时连接电阻R₁的另一端和MOS管S₁₀的门级G，MOS管S₁₀的源极S同时连接电容C₁的一端、二极管D₂的阴极、电阻R₃的另一端和电阻R₂的一端，电阻R₂的另一端连接MOS管SW₃的漏极，MOS管SW₃的源极同时连接二极管D₂的阳极、电容C₁的另一端、MOS管SW₂的源极和供电电源的负极；

在t₀时刻，SW₁开通，SW₂关断，SW₃保持开通状态，驱动电源通过R₁和R₂给结电容C_gs充电使S₁₀开通；

在t₁时刻，SW₃关断，C_gs放电，驱动电源通过R₃给电容C₁充电，同时C_gs放电，当C₁两端电压达到稳压二极管D₂的稳压值时，C₁两端电压被钳位，同时C_gs两端电压也被钳位，S₁₀继续导通；

在t₂时刻，SW₁关断，SW₂开通，SW₃保持关断状态，电容C₁两端电压继续保持被钳位值，同时C_gs放电后被反向充电，使S₁₀负压关断；

在t₃时刻，SW₃开通，由于R₂远小于R₃，电容C₁通过R₂放电，S₁₀继续保持零压关断状态。

2.根据权利要求1所述的一种SiC MOSFET驱动电路，其特征在于：

所述二极管D₂为稳压二极管。

3.根据权利要求1所述的一种SiC MOSFET驱动电路，其特征在于：

所述MOS管S₁₀为SiC MOSFET。