[发明专利]人造石英晶体的优质籽晶片培育法

权利要求书

1.人造石英晶体的优质籽晶片培育法，其特征在于包括以下步骤：

一、将待切割的人造石英晶体切割成只保留部分正负电轴区域的框架晶体；

二、将框架晶体切割成框架籽晶片；

依次进行以下步骤：

2.1、使框架晶体缺口向下，将步骤1)的被切除部分(1)放回晶体的原位，将粘结剂倒入切割缝隙中，待框架晶体与被切除部分(1)粘连后再粘在籽晶切割铁板上，框架晶体的－X部分向上，对准多刀切割机的框形金属刀架，所述框形金属刀架上设置切割刀条；

2.2、对框形金属刀架与籽晶切割铁板进行平行度检验，从而使得移动误差≤0.05mm；目的是保障切割刀条与被切割晶体的平行；

2.3、配制多刀切割机用的切割液；

2.4、在切割液的配合下，利用多刀切割机对晶体进行切割，切割速率为每4秒往返一次；

2.5、当多刀切割机的切割刀条切入晶体(2±0.2)mm后，提升多刀切割机的切割速率，使切割速率为每2秒往返一次；直至框架晶体被切透；

2.6、将带有切割后框架籽晶的籽晶切割铁板放入氢氧化钠溶液中加热浸泡；

2.7、将所得的籽晶片清洗去除油污后，再去除籽晶片中间的镶嵌部分，得到门字形的框架籽晶片(2)；

三、将框架籽晶片置于高压釜内进行晶体生长；

四、将框架晶体长出部分进行切割，得到优质籽晶片。

2.根据权利要求1所述的人造石英晶体的优质籽晶片培育法，其特征在于所述步骤一为：

将待切割的人造石英晶体的+X面和一个Z面进行研磨，保障被研磨的两平面的定向精度在±10＇以内；在另一未研磨Z面上画出被切除部分(1)，然后进行切割。

3.根据权利要求1或2所述的人造石英晶体的优质籽晶片培育法，其特征在于：

所述步骤2.1中，粘结剂由松香：石蜡＝1:1质量比组成；

所述步骤2.3中，320目绿色碳化硅磨料和研磨切割油按照0.8:1的重量比混合，得切割液。

4.根据权利要求3所述的人造石英晶体的优质籽晶片培育法，其特征在于：

所述步骤2.6中，每公斤水中加入(250±25)克NaOH，得氢氧化钠溶液；

加热至煮沸保温30±5分钟，从而实现浸泡。

5.根据权利要求3所述的人造石英晶体的优质籽晶片培育法，其特征在于所述步骤三为：

框架籽晶片(2)先经作为腐蚀液的过饱和NH₄HF₂(氟化氢铵)溶液浸泡腐蚀(3±0.5)小时，再用水清洗后干燥；接着放入高压釜内，按照人造石英晶体的水热温差法进行晶体生长；得到框架晶体。

6.根据权利要求3所述的人造石英晶体的优质籽晶片培育法，其特征在于所述步骤四为：

4.1、对步骤三所得的框架晶体长出部分(6)按照步骤一进行切割；

4.2、将步骤4.1切割所得的框架晶体长出部分(6)粘在籽晶切割铁板上，－X部分向上，对准多刀切割机的切割刀条；

然后按照2.2～2.6进行操作；

将切割下的籽晶片清洗去除油污后，得人造石英晶体的优质籽晶片。