[发明专利]减反射复合膜及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种减反射复合膜，所述减反射复合膜包含依次层叠的A膜层、第二材料膜以及非晶碳膜，所述A膜层包含连续交替层叠的SiO₂膜、第一材料膜，其中，第一材料膜的折射率为1.95-2.41，厚度为12-150nm；所述SiO₂膜的折射率为1.45-1.47，厚度为12-200nm；第二材料膜的折射率为1.35-1.39，厚度为90-120nm，所述第二材料膜具有与非晶碳膜的界面。

2.根据权利要求1所述的减反射复合膜，其中，所述减反射复合膜形成于折射率为1.49-1.6的基板上，所述A膜层具有与所述基板的界面；

优选地，所述基板为折射率为1.5-1.54的玻璃基板。

3.根据权利要求1所述的减反射复合膜，其中，所述A膜层中，所述SiO₂膜和第一材料膜的连续交替层叠次数大于等于4，优选为4；

优选地，所述第一材料选自TiO₂、Ta₂O₅或ZrO₂；

优选地，所述第二材料为MgF₂或冰晶石。

4.根据权利要求1-3中任意一项所述的减反射复合膜，其中，所述第一材料为TiO₂，TiO₂膜的折射率为2.3-2.41，厚度为15-90nm。

5.根据权利要求1-3中任意一项所述的减反射复合膜，其中，所述第一材料为Ta₂O₅，Ta₂O₅膜的折射率为2-2.3，厚度为20-120nm。

6.根据权利要求1-3中任意一项的减反射复合膜，其中，所述第一材料为ZrO₂，ZrO₂膜的折射率为1.95-2.4，厚度为12-150nm。

7.根据权利要求1-6中任意一项所述的减反射复合膜，其中，所述第二材料为MgF₂，MgF₂膜的折射率为1.35-1.39，厚度为90-120nm；

优选地，所述SiO₂膜的内应力为张应力，所述第一材料膜的内应力为压应力，所述第二材料膜的内应力为张应力；

更优选地，所述SiO₂膜的张应力为0.2-1.2MPa，所述第一材料膜的压应力为0.1-1.5MPa，所述第二材料膜的张应力为0.1-0.6MPa。

8.根据权利要求1-7中任意一项所述的减反射复合膜，其中，所述非晶碳膜的折射率为2.35-2.66，厚度为8-30nm。

9.一种制备权利要求1-8中任意一项所述的减反射复合膜的方法，该方法包括：

(1)采用离子束辅助电子束蒸发镀膜工艺制备所述减反射复合膜所包含的SiO₂膜、第一材料膜和第二材料膜，

(2)利用等离子体辅助化学气相沉积在(5-8)×10^-4Pa本底真空度、20-35℃条件下在所述第二材料膜上沉积制备非晶碳膜。

10.一种权利要求1-8中任意一项所述的减反射复合膜以及权利要求9所述的方法制备得到的减反射复合膜在薄膜太阳能电池领域的应用，优选地在铜铟镓硒薄膜太阳能电池领域的应用。

11.一种薄膜太阳能电池，所述薄膜太阳能电池包含权利要求1-8中任意一项所述的减反射复合膜。