[发明专利]湿蚀刻设备及其使用的方法

权利要求书

1.一种使用湿蚀刻设备的方法，其特征在于，包含：

在一晶圆座周围，设置一第一电极以及一第二电极；

通过移动该第一电极以及该第二电极的至少一者，改变从该第一电极至该第二电极的一方向；

分配一化学溶液至该晶圆座固定的一半导体基板上，以化学性地蚀刻该半导体基板上的一目标结构，其中该化学溶液包含带电离子于其中；以及

在分配该化学溶液至该半导体基板上时，沿着从该第一电极至该第二电极的该方向，使用该第一电极以及该第二电极施加一电场于该半导体基板上，以使该化学溶液中的该些带电离子随该电场移动，其中当施加该电场时，该第一电极以及该第二电极免于接触该半导体基板。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中施加该电场于该半导体基板上是当该第一电极以及该第二电极分别位于该半导体基板的相对二侧时进行。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，其中改变从该第一电极至该第二电极的该方向包含：

在施加该电场于该半导体基板上之前，移动该第一电极以及该第二电极至该半导体基板的该些相对二侧。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中在施加该电场于该半导体基板上时，该半导体基板保持静止。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包含：

在施加该电场于该半导体基板上时，旋转该半导体基板。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中施加该电场是当从该第一电极至该第二电极的该方向实质垂直于该半导体基板的一上表面时进行。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包含：

在该半导体基板上，形成一虚设栅极堆叠作为该目标结构；

在该目标结构的相对侧壁上，分别形成多个栅极间隔物，其中分配该化学溶液的进行使该些栅极间隔物之间形成一栅极沟槽；以及

在该栅极沟槽内，形成一金属栅极结构。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中施加该电场是当从该第一电极至该第二电极的该方向实质平行于该半导体基板的一上表面时进行。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中分配该化学溶液的进行使该半导体基板中形成一凹槽，且该方法还包含：

在该凹槽中，形成一磊晶结构。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中施加该电场是使用交流电流。

11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中施加该电场是使用直流电流。

12.一种使用湿蚀刻设备的方法，其特征在于，包含：

将一半导体基板放置于一电极的上方；

从一分配喷头的一出口，分配一化学溶液至该半导体基板上，其中该分配喷头的该出口直接朝向该半导体基板；

使用该化学溶液蚀刻该半导体基板上的一目标结构；

在分配该化学溶液至该半导体基板上时，移动一探针至该分配喷头正下方的一位置，以使该探针接触该化学溶液；

在蚀刻该目标结构时，经由该探针对该化学溶液施加一第一电压；以及

在蚀刻该目标结构时，对该电极施加一第二电压，其中该第一电压不同于该第二电压。

13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，还包含：

在该半导体基板上，形成一虚设栅极堆叠作为该目标结构；

在该目标结构的相对侧壁上，分别形成多个栅极间隔物，其中蚀刻该半导体基板上的该目标结构的进行使该些栅极间隔物之间形成一栅极沟槽；以及

在该栅极沟槽内，形成一金属栅极结构。