[发明专利]半导体装置及其操作方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

测试电路，其包括：

测试晶体管，其用于使用应力电压来测试时间相关的介电击穿特性；

输入开关，其位于被施加了所述应力电压的电压施加节点与电连接到所述测试晶体管的输入节点之间；以及

保护开关，其位于所述输入节点与接地节点之间。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述输入开关包括被输入开关使能信号门控的第一晶体管，

所述保护开关包括被保护开关使能信号门控的第二晶体管，并且

所述保护开关使能信号是所述输入开关使能信号的反相信号。

3.如权利要求2所述的半导体装置，其中，所述输入开关包括第一栅极氧化物层，所述第一栅极氧化物层比所述测试晶体管的第二栅极氧化物层厚。

4.如权利要求2所述的半导体装置，其中，所述保护开关包括第一栅极氧化物层，所述第一栅极氧化物层比所述测试晶体管的第二栅极氧化物层厚。

5.如权利要求2所述的半导体装置，还包括：

控制电路，其位于所述测试电路外部的外围区域中，所述控制电路被配置为提供所述输入开关使能信号和所述保护开关使能信号。

6.如权利要求1所述的半导体装置，还包括：

电压发生器电路，其被配置为将所述应力电压施加到所述电压施加节点，其中，所述测试电路还包括设置在所述电压发生器电路与所述电压施加节点之间的第一开关。

7.如权利要求6所述的半导体装置，其中，所述第一开关包括晶体管，该晶体管包括第一栅极氧化物层，所述第一栅极氧化物层比所述测试晶体管的第二栅极氧化物层厚。

8.如权利要求1所述的半导体装置，还包括：

芯片焊盘，其被配置为将从外部源接收到的用户应力电压施加到所述电压施加节点，其中，所述测试电路还包括位于所述芯片焊盘与所述电压施加节点之间的第二开关。

9.如权利要求8所述的半导体装置，其中，所述第二开关包括晶体管，该晶体管包括第一栅极氧化物层，所述第一栅极氧化物层比所述测试晶体管的第二栅极氧化物层厚。

10.如权利要求1所述的半导体装置，还包括：

主电路，其被设置在裸片上，其中，所述测试电路被设置在所述裸片上并且与所述主电路电隔离。

11.一种半导体装置，包括：

测试电路，其包括：

测试晶体管，其用于使用应力电压来测试时间相关的介电击穿特性，以及

输入开关，其位于被施加了所述应力电压的电压施加节点与电连接到所述测试晶体管的输入节点之间；以及

主电路，其邻近所述测试电路并且与所述测试电路电隔离。

12.如权利要求11所述的半导体装置，其中，所述输入开关包括被输入开关使能信号门控的第一晶体管。

13.如权利要求12所述的半导体装置，其中，所述输入开关包括第一栅极氧化物层，所述第一栅极氧化物层比所述测试晶体管的第二栅极氧化物层厚。

14.如权利要求12所述的半导体装置，其中，所述测试电路进一步包括位于所述输入节点与接地节点之间的保护开关。

15.如权利要求14所述的半导体装置，其中，所述保护开关包括被保护开关使能信号门控的第二晶体管，并且所述保护开关使能信号是所述输入开关使能信号的反相信号。

16.如权利要求15所述的半导体装置，其中，所述保护开关包括第一栅极氧化物层，所述第一栅极氧化物层比所述测试晶体管的第二栅极氧化物层厚。