[发明专利]具硅胶黏合层的电路板结构

权利要求书

1.一种具硅胶黏合层的电路板结构，包含有：

一金属层，包含有至少一金属；

一非金属基板，通过不同于该金属层的材料所制成；

一第一改质硅胶固化层，直接形成于该非金属基板上；

一第二改质硅胶固化层，直接形成于该金属层上，其中该第一改质硅胶固化层与该第二改质硅胶固化层皆主要包含有下列化学式(一)：

；

以及

一硅胶黏着层，直接黏接于该第一改质硅胶固化层与该第二改质硅胶固化层，且该硅胶黏着层主要包含有下列化学式(二)：

其中该第一改质硅胶固化层、该第二改质硅胶固化层与该硅胶黏着层都具有该化学式(一)与该化学式(二)的成份；

其中该硅胶黏着层具有结晶结构；以及

其中该硅胶黏着层还包含有间隔物，该间隔物包含有二氧化硅、氧化钛颗粒或其组合。

2.根据权利要求1所述的具硅胶黏合层的电路板结构，其中该非金属基板的材料包含有聚亚酰胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、金属、玻璃、玻璃纤维或液晶型高分子。

3.根据权利要求1所述的具硅胶黏合层的电路板结构，其中该金属层材料硅包含有铜、铝、镍、金、银、锡或包含前述至少一金属所构成的合金。

4.根据权利要求1所述的具硅胶黏合层的电路板结构，其中该硅胶黏着层的厚度为5-25微米。

5.根据权利要求1所述的具硅胶黏合层的电路板结构，其中该第一改质硅胶固化层的厚度为10-50微米。

6.根据权利要求1所述的具硅胶黏合层的电路板结构，其中该第二改质硅胶固化层的厚度为10-50微米。

7.根据权利要求1所述的具硅胶黏合层的电路板结构 ，其中该第一改质硅胶固化层与该第二改质硅胶固化层通过增加加成型硅胶的组成比例来予以改质。

8.根据权利要求1所述的具硅胶黏合层的电路板结构，其中该第一改质硅胶固化层与该第二改质硅胶固化层于硅胶内增添环氧树脂(epoxy)、压克力酸(acrylic acid)或其组合来予以改质。

9.根据权利要求1所述的具硅胶黏合层的电路板结构，其中于该硅胶黏着层中该化学式二成份的量比该第一改质硅胶固化层或该第二改质硅胶固化层中该化学式二成份的量大于0.1-60％(重量/体积比)。

10.根据权利要求1所述的具硅胶黏合层的电路板结构，其中该金属层可作为一电池的一集电层。

11.根据权利要求1所述的具硅胶黏合层的电路板结构，其中该硅胶黏着层的厚度为一设定值，该设定值不随着电路板结构的可挠性需求而变化。