[发明专利]一种微元件的转移方法有效
申请号: | 201911115250.9 | 申请日: | 2019-11-14 |
公开(公告)号: | CN112802789B | 公开(公告)日: | 2022-08-30 |
发明(设计)人: | 王岩;董小彪;夏继业;姚志博;李晓伟;曹轩;王程功 | 申请(专利权)人: | 成都辰显光电有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L27/15 |
代理公司: | 广东君龙律师事务所 44470 | 代理人: | 丁建春 |
地址: | 611731 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 元件 转移 方法 | ||
本发明涉及显示面板技术领域,公开了一种微元件的转移方法。该转移方法包括:提供生长基板,其中生长基板上形成有多个微元件;在生长基板上形成光刻胶层,其中光刻胶层覆盖多个微元件;提供临时基板,并将临时基板和生长基板形成有多个微元件的一面通过光刻胶层进行粘合;固化微元件和临时基板之间的部分光刻胶层,以形成连接微元件和临时基板的连接体;去除生长基板,进而对多个微元件进行转移。通过上述方式,本发明能够有利于微元件的批量转移以及在从生长基板上剥离微元件的过程中向微元件提供良好的支撑。
技术领域
本发明涉及显示面板技术领域,特别是涉及一种微元件的转移方法。
背景技术
发光二极管(Light Emitting Diode,LED)是一种光电半导体元件,其具有低功耗、尺寸小、亮度高、易与集成电路匹配、可靠性高等优点,作为光源被广泛应用。并且,随着LED技术的成熟,直接利用LED作为自发光显示点像素的LED显示器或Micro LED(微型发光二极管)显示器的技术也逐渐被广泛应用。
其中,Micro LED显示屏综合了TFT-LCD和LED显示屏的技术特点,其显示原理是将LED结构设计进行薄膜化、微小化、阵列化,之后将Micro LED从最初的生长衬底上剥离而后转移到接收基板上。然而,目前使用临时键合胶临时键合Micro LED进行激光剥离后存在不易解键合,并且解键合后容易有残胶的问题,不利于Micro LED的批量转移。
发明内容
有鉴于此,本发明主要解决的技术问题是提供一种微元件的转移方法,能够有利于微元件的批量转移以及在从生长基板上剥离微元件的过程中向微元件提供良好的支撑。
为解决上述技术问题,本发明采用的一个技术方案是:提供一种微元件的转移方法。该转移方法包括:提供生长基板,其中生长基板上形成有多个微元件;在生长基板上形成光刻胶层,其中光刻胶层覆盖多个微元件;提供临时基板,并将临时基板和生长基板形成有多个微元件的一面通过光刻胶层进行粘合;固化微元件和临时基板之间的部分光刻胶层,以形成连接微元件和临时基板的连接体;去除生长基板,进而对多个微元件进行转移。
在本发明的一实施例中,微元件背离生长基板的表面形成有第一电极,连接体形成于微元件背离生长基板的表面且位于第一电极之外的区域。
在本发明的一实施例中,对多个微元件进行转移的步骤包括:去除除连接体之外的光刻胶层;利用转移头从临时基板上拾取微元件,并将所拾取的微元件转移至接收基板上。
在本发明的一实施例中,利用转移头从临时基板上拾取微元件的步骤包括:转移头拾取微元件并拉断其所拾取的微元件和临时基板之间的连接体。
在本发明的一实施例中,当微元件位于临时基板上时,连接体在临时基板上的正投影的面积小于微元件在临时基板上的正投影的面积。
在本发明的一实施例中,转移头拾取微元件并拉断其所拾取的微元件和临时基板之间的连接体的步骤之后包括:去除微元件上残留的连接体。
在本发明的一实施例中,接收基板上设有对应微元件的第二电极;将所拾取的微元件转移至接收基板上的步骤包括:将微元件上的第一电极和对应的第二电极对接,并使得微元件和接收基板之间形成空隙,其中空隙的高度大于或等于微元件上残留的连接体的高度。
在本发明的一实施例中,空隙的高度大于或等于连接体的初始高度。
在本发明的一实施例中,去除生长基板的步骤之前包括:对生长基板和临时基板之间的光刻胶层进行烘烤,以增大光刻胶层的硬度。
在本发明的一实施例中,各微元件上形成有一个或多个连接体。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都辰显光电有限公司,未经成都辰显光电有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911115250.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:三维微纳结构光刻系统及其方法
- 下一篇:深度感测装置及方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造