[发明专利]一种基于量子点的电致发光二极管及光电设备

权利要求书

1.一种基于量子点的电致发光二极管，包括依次连接的导电阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、以及电极；其特征在于，所述量子点发光层包括若干个量子点核壳结构，所述量子点核壳结构包括量子点核以及包裹于所述量子点核外的壳层结构；

所述壳层结构，具有用于定向定量的若干个第一传输通道和若干个第二传输通道，所述第一传输通道连接于所述空穴传输层，所述第二传输通道连接于所述电子传输层；

所述第二传输通道有N个，所述第一传输通道有3N个；

N个所述第二传输通道和3N个所述第一传输通道均布于所述壳层结构外表面，所述第一传输通道的长度为3-20nm，所述第二传输通道的长度为3-20nm。

2.如权利要求1所述的一种基于量子点的电致发光二极管，其特征在于，所述量子点核壳结构包括II-VI、I-III-VI、III-V、或IV族的半导体核壳结构纳米晶中的至少一种。

3.如权利要求2所述的一种基于量子点的电致发光二极管，其特征在于，所述II-VI族纳米晶包括同质核壳结构、或异质核壳结构中的一种。

4.如权利要求1所述的一种基于量子点的电致发光二极管，其特征在于，所述量子点核直径为1-5nm。

5.如权利要求1所述的一种基于量子点的电致发光二极管，其特征在于，所述导电阳极厚度为150-200nm、所述空穴注入层厚度为20-50nm、所述空穴传输层厚度为20-50nm、所述量子点发光层厚度为20-40nm、所述电子传输层厚度为20-100nm和所述电极层厚度为50-120nm。

6.一种光电设备，其特征在于，包括如权利要求1-5任一项所述的基于量子点电致发光二极管。