[发明专利]负极材料及包含其的电化学装置和电子装置有效

专利信息
申请号: 201911115649.7 申请日: 2019-11-14
公开(公告)号: CN110911636B 公开(公告)日: 2021-08-31
发明(设计)人: 陈志焕;姜道义;崔航;谢远森 申请(专利权)人: 宁德新能源科技有限公司
主分类号: H01M4/13 分类号: H01M4/13;H01M4/134;H01M4/38;H01M4/48;H01M4/62;H01M10/0525;C01B33/113
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 蕭輔寬
地址: 352100 福建*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 负极 材料 包含 电化学 装置 电子
【权利要求书】:

1.一种负极材料,其包括含硅颗粒,所述含硅颗粒包括硅复合物基体和氧化物MeOy层,所述氧化物MeOy层包覆所述硅复合物基体的至少一部分,其中Me包括Al、Si、Ti、Mn、V、Cr、Co或Zr中的至少一种,其中y为0.5-3;其中所述氧化物MeOy层包含碳材料;并且其中基于所述负极材料的总重量,Me元素的重量百分比为0.005wt%-1.5wt%,

其中所述含硅颗粒进一步包括聚合物层,所述聚合物层包覆所述MeOy层的至少一部分,并且所述聚合物层包含碳材料;

其中基于所述负极材料的总重量,所述聚合物层的重量百分比为0.05-9wt%;并且

其中所述含硅颗粒的DV50的范围为2μm-10μm,且所述含硅颗粒的粒径分布满足:0.2≤Dn10/Dv50≤0.6;

其中Dv50为材料累计体积百分数达到50%时所对应的粒径,且Dn10为材料累计数量百分数达到10%时所对应的粒径。

2.根据权利要求1所述的负极材料,其中所述硅复合物基体包括SiOx,且0.6≤x≤1.5。

3.根据权利要求1所述的负极材料,其中所述硅复合物基体包括纳米Si晶粒、SiO、SiO2或其任意组合。

4.根据权利要求3所述的负极材料,其中所述纳米Si晶粒的尺寸为小于100nm。

5.根据权利要求1所述的负极材料,其中所述氧化物MeOy层的厚度为1nm-900nm。

6.根据权利要求1所述的负极材料,其中基于所述负极材料的总重量,所述氧化物MeOy层中碳材料的重量百分比为0.02wt%-1wt%。

7.根据权利要求1所述的负极材料,其中所述聚合物层包含聚偏氟乙烯及其衍生物、羧甲基纤维素及其衍生物、聚乙烯基吡咯烷酮及其衍生物、聚丙烯酸及其衍生物、聚丁苯橡胶、聚丙烯酰胺、聚酰亚胺、聚酰胺酰亚胺或其任意组合。

8.根据权利要求1所述的负极材料,其中所述碳材料包含碳纳米管、碳纳米颗粒、碳纤维、石墨烯或其任意组合。

9.根据权利要求1所述的负极材料,其中所述聚合物层的厚度为1nm-150nm。

10.根据权利要求1所述的负极材料,其在X射线衍射图案中2θ归属于28.0°-29.5°范围内最高强度数值为I2,归属于20.0°-21.5°范围内最高强度数值为I1,其中0I2/I1≤1。

11.根据权利要求1所述的负极材料,其在X射线衍射图案中2θ归属于28.4°范围内最高强度数值为I2,归属于21.0°范围内最高强度数值为I1,其中0I2/I1≤1。

12.根据权利要求1所述的负极材料,其比表面积为1-50m2/g。

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