[发明专利]一种砷化镓基LED芯片的半切测试方法有效
| 申请号： | 201911116489.8 | 申请日： | 2019-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN112820659B | 公开（公告）日： | 2022-09-16 |
| 发明（设计）人： | 彭璐;郑军;齐国建 | 申请（专利权）人： | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L33/00;H01L33/48;H01L33/62 |
| 代理公司： | 济南诚智商标专利事务所有限公司 37105 | 代理人： | 黄晓燕 |
| 地址： | 261061 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 砷化镓基 led 芯片 测试 方法 | ||
1.一种砷化镓基LED芯片的半切测试方法，其特征是，包括以下步骤：
S11,将经过研磨、完成背金面制作的晶片放置到贴膜盘；
S12，将导线焊接到晶片的背金面上；
S13，对焊接导线的晶片进行贴蓝膜作业；
S14，对贴蓝膜的晶片进行半切；
S15，将所述导线连接至测试设备的负极，对半切后的晶片进行测试；
S16，对测试完成的晶片进行全切；
S17，将所述蓝膜扩张，得到独立的晶粒。
2.根据权利要求1所述的砷化镓基LED芯片的半切测试方法，其特征是，步骤S11中，将放置到贴膜盘上晶片的背金面向上。
3.根据权利要求1所述的砷化镓基LED芯片的半切测试方法，其特征是，步骤S12中所述导线为铜丝，所述铜丝线径为50-80um。
4.根据权利要求3所述的砷化镓基LED芯片的半切测试方法，其特征是，所述导线焊接到晶片边缘的背金上，所述导线的一端与背金连接，另一端悬空。
5.一种砷化镓基LED芯片的半切测试方法，其特征是，包括以下步骤：
S21,将经过研磨、完成背金面制作的晶片放置到贴膜盘；
S22，将导线焊接到晶片的背金面上；
S23，对焊接导线的晶片进行贴蓝膜作业；
S24，对贴蓝膜的晶片进行半切；
S25，将所述导线连接至测试设备的负极，对半切后的晶片进行测试；
S26，对测试完成的晶片进行全切，对所述焊接导线的位置不切割；
S27，将所述蓝膜扩张，得到独立的晶粒。
6.根据权利要求5所述的砷化镓基LED芯片的半切测试方法，其特征是，步骤S11中，将放置到贴膜盘上晶片的背金面向上。
7.根据权利要求5所述的砷化镓基LED芯片的半切测试方法，其特征是，步骤S12中所述导线为铜丝，所述铜丝线径为50-80um。
8.根据权利要求6所述的砷化镓基LED芯片的半切测试方法，其特征是，所述导线焊接到晶片边缘的背金上，所述导线的一端与背金连接，另一端悬空。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
