[发明专利]一种去除铜晶圆表面颗粒抑制电偶腐蚀的碱性清洗液

权利要求书

1.一种去除铜晶圆表面颗粒抑制电偶腐蚀的碱性清洗液，其特征为该清洗液的组成包括多元复配的表面活性剂，以及螯合剂、抑制剂、pH调节剂和去离子水；各组分所占清洗液的质量百分比为：表面活性剂0.1～1wt％、螯合剂0.01～0.1wt％、抑制剂0.01～0.1wt％，余量为去离子水；

所述的清洗液的pH值为10～12；pH调节剂以溶液方式加入，其浓度为1-10g/L；

所述的多元复配的表面活性剂的组成为非离子型表面活性剂和阴离子表面活性剂，质量比为非离子型表面活性剂：阴离子表面活性剂＝1:1～1:20。

2.如权利要求1所述的去除铜晶圆表面颗粒抑制电偶腐蚀的碱性清洗液，其特征为所述的非离子表面活性剂具体为烷基酚聚氧乙烯醚(APEO)、山梨醇酐油酸酯(SPAN80)、脂肪醇聚氧乙烯醚(JFC)和聚醚氧烷中的一种或多种；所述的阴离子表面活性剂具体为脂肪醇聚醚硫酸铵(AESA)、月桂醇聚醚硫酸酯钠(AES)、月桂基硫酸铵(K12A)和仲烷基磺酸钠(SAS)的一种或多种。

3.如权利要求1所述的去除铜晶圆表面颗粒抑制电偶腐蚀的碱性清洗液，其特征为所述的螯合剂为选自乙二胺四乙酸四(四羟乙基乙二胺)(FA/O II)、乙二胺四乙酸(EDTA)、柠檬酸、草酸、甘油酸、丙二酸中的一种或多种。

4.如权利要求1所述的去除铜晶圆表面颗粒抑制电偶腐蚀的碱性清洗液，其特征为所述的抑制剂为1，2，4-三氮唑(TAZ)、巯基苯骈噻唑(MBT)、甲基苯骈三氮唑(TTA)、氮川三乙酸(NTA)和1-甲基氨酸中的一种或多种。

5.如权利要求1所述的去除铜晶圆表面颗粒抑制电偶腐蚀的碱性清洗液，其特征为所述的pH剂为选自硫酸、磷酸、硝酸、氢氧化钾、氢氧化铯、乙二胺、三乙醇胺、二乙烯三胺和单乙醇胺中的一种或多种。

6.如权利要求1所述的去除铜晶圆表面颗粒抑制电偶腐蚀的碱性清洗液的制备方法，其特征为包括如下步骤：

按照所述的的配比，将多元复配的表面活性剂和抑制剂加入到去离子水中搅拌，溶解后，再加入螯合剂，继续搅拌，最后加入pH调节剂，当pH值达到10～12，即得碱性清洗液。

7.如权利要求1所述的去除铜晶圆表面颗粒抑制电偶腐蚀的碱性清洗液的应用，其特征为包括如下步骤：

在清洗机上使用上述清洗液对铜片进行清洗，设定刷片机转速为120-200rpm，刷子间距为0–-1.25mm，清洗液流量100–1000ml/min，清洗时间10s–100s，去离子水冲洗时间30s–150s，去离子水流量500-1500ml/min,甩干时间20s–150s，氮气吹干时间20s–150s。