[发明专利]一种制备多晶碳化硅的化学气相沉积方法及装置

权利要求书

1.一种制备多晶碳化硅的化学气相沉积方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：将石墨件置于化学气相沉积室中，抽真空，再升温，之后保温，通入载气至压力稳定，再通入所述载气、氢气和甲基三氯硅烷的混合气进行沉积并控制所述化学气相沉积室内的压力为5000～50000Pa，沉积结束后，停止通气，降温至室温，得到块状的多晶碳化硅；所述升温的程序为先在2～4h内升温至400～500℃，保温4～6h，再在4～10h内升温至1100～1500℃，保温1～2h。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述降温的程序为先在30～55h内降温至700～800℃，保温4～6h，再在40～60h内降温至室温。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述混合气由氢气通过鼓泡的方式携带甲基三氯硅烷气体，后与所述载气混合而形成；所述载气、氢气和甲基三氯硅烷的混合气中所述载气和氢气的体积比为载气：氢气＝1:1.2～3。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述沉积时，压力波动不超过±100Pa；所述载气为氩气。

5.一种实施权利要求1-4中任一项所述的方法的装置，其特征在于，所述装置包括依次连接的供气装置、真空气相沉积炉、真空泵和尾气处理装置，所述真空气相沉积炉包括沉积腔室和加热源，所述沉积腔室被隔板分隔为化学气相沉积室和收尘室，其中所述隔板的下半部分设有孔洞，所述供气装置通过管道A与所述化学气相沉积室侧壁的上半部分连接，所述真空泵通过设有压力控制阀的管道与所述收尘室侧壁的上半部分连接，所述供气装置包括供应氢气的装置、供应甲基三氯硅烷气体的装置以及供应载气的装置。

6.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述化学气相沉积室与所述管道A连接处设有一个以上过滤片。

7.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述收尘室与所述真空泵之间设有一个过滤器或两个以上并联的过滤器，每个过滤器下方都设有配套连接的收尘罐。

8.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，所述收尘室与所述过滤器之间连接的管道均设有能通冷却液的夹层。

9.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述供气装置还包括混气罐，所述供应氢气的装置为氢气罐，所述供应载气的装置为载气罐，所述供应甲基三氯硅烷气体的装置包括水浴加热装置和甲基三氯硅烷容器，所述氢气罐通过管道C与所述甲基三氯硅烷容器连接，所述混气罐通过管道D与所述甲基三氯硅烷容器连接，所述管道C插入所述甲基三氯硅烷容器的深度大于所述管道D插入所述甲基三氯硅烷容器的深度，所述混气罐还分别与所述化学气相沉积室以及所述载气罐连接。

10.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述收尘室和所述尾气处理装置之间还设有与所述真空泵并联的真空泵，所有真空泵都为干泵。