[发明专利]磁隧道结存储单元及存储器

权利要求书

1.一种磁隧道结存储单元，其特征在于，包括：

顶端电极、铁磁自由层、隧穿层、铁磁参考层、相变层、铁磁被钉扎层、反铁磁钉扎层和底端电极；

所述相变层位于所述铁磁参考层和所述铁磁被钉扎层之间，具有响应于外部温度变化或外部光照变化的相变特征；其中，所述铁磁被钉扎层具有固定的磁化方向；

所述铁磁参考层位于所述相变层和所述隧穿层之间，具有响应于所述相变特征的变化的磁化方向；

所述反铁磁钉扎层位于所述铁磁被钉扎层和所述底端电极之间，具有固定的磁化方向；

所述铁磁自由层位于所述隧穿层和所述顶端电极之间，具有固定的磁化方向。

2.根据权利要求1所述的磁隧道结存储单元，其特征在于，

所述磁隧道结存储单元的厚度大于1纳米且小于100微米。

3.根据权利要求1所述的磁隧道结存储单元，其特征在于，

所述顶端电极和所述底端电极均包括：铂、铝、镍、铜、钛、金、钽、氮化钽和氮化钛的其中之一或任意组合。

4.根据权利要求1所述的磁隧道结存储单元，其特征在于，

所述铁磁自由层、所述铁磁参考层和所述铁磁被钉扎层均包括镍铁、钴铁硼、钴铂和钆铁钴的其中之一或任意组合。

5.根据权利要求1所述的磁隧道结存储单元，其特征在于，

所述隧穿层包括氧化镁和/或氧化铝。

6.根据权利要求1所述的磁隧道结存储单元，其特征在于，

所述相变层包括氧化钒和/或锗锑碲合金。

7.根据权利要求1所述的磁隧道结存储单元，其特征在于，

所述相变层的厚度大于0.1纳米且小于10纳米。

8.根据权利要求1所述的磁隧道结存储单元，其特征在于，

所述反铁磁钉扎层包括铱锰、铁锰、镍锰、铂锰和氧化镍的其中之一或任意组合。

9.一种磁隧道结存储器，其特征在于，包括：

相变控制器和权利要求1至8任一权利要求所述的磁隧道结存储单元；

所述相变控制器为温度控制器或光照控制器；

所述温度控制器用于改变所述相变层的温度以改变所述铁磁参考层的磁化方向；

所述光照控制器用于改变所述相变层所受的光照强度以改变所述铁磁参考层的磁化方向。

10.根据权利要求9所述的磁隧道结存储器，其特征在于，当所述相变控制器为温度控制器时，所述磁隧道结存储器还包括：

基底；

所述基底位于所述温度控制器和所述底端电极之间。