[发明专利]结晶性半导体膜和板状体以及半导体装置在审
| 申请号： | 201911118223.7 | 申请日： | 2015-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN110797396A | 公开（公告）日： | 2020-02-14 |
| 发明（设计）人： | 人罗俊实;织田真也;高塚章夫 | 申请（专利权）人： | 株式会社FLOSFIA |
| 主分类号： | H01L29/24 | 分类号： | H01L29/24;H01L29/04;H01L29/12;H01L29/47;H01L29/739;H01L29/772;H01L29/778;H01L29/78;H01L29/808;H01L29/812;H01L29/872;H01L27/098;H01L33/0 |
| 代理公司： | 11018 北京德琦知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刁兴利;康泉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 结晶性半导体膜 板状体 半导体装置 氧化物半导体 半导体结构 半导体特性 半导体膜 放热性 漏电流 耐压性 氧化物 刚玉 膜厚 半导体 | ||
1.一种结晶性半导体膜，其特征在于，含有具有刚玉结构的氧化物半导体作为主成分，所述氧化物半导体含有选自镓、铟和铝中的一种或两种以上的氧化物作为主成分，所述结晶性半导体膜的膜厚为1μm以上，所述结晶性半导体膜实质上不含有碳。
2.根据权利要求1所述的结晶性半导体膜，其特征在于，所述氧化物半导体至少含有镓。
3.根据权利要求1或2所述的结晶性半导体膜，其特征在于，膜厚为7.6μm以上。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的结晶性半导体膜，其特征在于，其为自支撑膜。
5.一种板状体，其特征在于，含有具有刚玉结构的氧化物半导体作为主成分，所述氧化物半导体含有选自镓、铟和铝中的一种或两种以上的氧化物作为主成分，所述结晶性半导体膜实质上不含有碳。
6.根据权利要求5所述的板状体，其特征在于，所述氧化物半导体至少含有镓。
7.根据权利要求5或6所述的板状体，其特征在于，厚度为50μm以上。
8.一种半导体结构，其特征在于，含有权利要求1～4中任一项所述的结晶性半导体膜或权利要求5～7中任一项所述的板状体。
9.一种半导体装置，其特征在于，具备权利要求8所述的半导体结构。
10.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，其为立式设备。
11.根据权利要求9或10所述的半导体装置，其特征在于，其为功率设备。
12.根据权利要求9～11中任一项所述的半导体装置，其特征在于，其为肖特基势垒二极管SBD；金属半导体场效应晶体管MESFET；高电子迁移率晶体管HEMT；金属氧化膜半导体场效应晶体管MOSFET；静电感应晶体管SIT；结型场效应晶体管JFET；绝缘栅双极晶体管IGBT；或发光二极管。
13.根据权利要求9～12中任一项所述的半导体装置，其特征在于，其为肖特基势垒二极管SBD。
14.一种结晶性半导体膜，其特征在于，含有具有刚玉结构的氧化物半导体作为主成分，所述氧化物半导体含有选自镓、铟和铝中的一种或两种以上的氧化物作为主成分，所述结晶性半导体膜的膜厚为1μm以上，并且所述结晶性半导体膜含有掺杂物，所述结晶性半导体膜中的碳的含量比该掺杂物少。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社FLOSFIA，未经株式会社FLOSFIA许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911118223.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
