[发明专利]结晶性半导体膜和板状体以及半导体装置在审
| 申请号： | 201911118243.4 | 申请日： | 2015-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN110828551A | 公开（公告）日： | 2020-02-21 |
| 发明（设计）人： | 人罗俊实;织田真也;高塚章夫 | 申请（专利权）人： | 株式会社FLOSFIA |
| 主分类号： | H01L29/24 | 分类号： | H01L29/24;H01L29/06;H01L29/40 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 刁兴利;康泉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 结晶 半导体 板状体 以及 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置，其特征在于，其至少具有半导体层、肖特基电极及绝缘体层，所述半导体层由结晶性半导体膜构成，所述结晶性半导体膜含有具有刚玉结构的氧化物半导体作为主成分，
所述结晶性半导体膜的膜厚为1μm以上，
所述绝缘体层设置于所述半导体层和所述肖特基电极之间。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述氧化物半导体含有选自镓、铟和铝中的一种或两种以上的氧化物作为主成分。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，所述氧化物半导体至少包含镓。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述结晶性半导体膜含有掺杂物。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述结晶性半导体膜为包含n-型半导体层和n+型半导体层的多层膜。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体装置，其特征在于，其为立式设备。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的半导体装置，其特征在于，其为二极管。
8.根据权利要求1～6中任一项所述的半导体装置，其特征在于，其为晶体管。
9.根据权利要求1～8中任一项所述的半导体装置，其特征在于，其为功率设备。
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