[发明专利]结晶性半导体膜和板状体以及半导体装置在审
| 申请号： | 201911118471.1 | 申请日： | 2015-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN110828553A | 公开（公告）日： | 2020-02-21 |
| 发明（设计）人： | 人罗俊实;织田真也;高塚章夫 | 申请（专利权）人： | 株式会社FLOSFIA |
| 主分类号： | H01L29/24 | 分类号： | H01L29/24;H01L21/34;H01L29/739;H01L29/778;H01L29/78;H01L29/808;H01L29/812;H01L29/872;H01L33/26 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 刁兴利;康泉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 结晶 半导体 板状体 以及 装置 | ||
1.一种结晶性半导体膜，其特征在于，含有具有刚玉结构的氧化物半导体作为主成分，膜厚为1μm以上，所述结晶性半导体膜为自支撑膜。
2.根据权利要求1所述的结晶性半导体膜，其特征在于，所述氧化物半导体含有选自镓、铟和铝中的一种或两种以上的氧化物作为主成分。
3.根据权利要求1或2所述的结晶性半导体膜，其特征在于，所述氧化物半导体至少含有镓。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的结晶性半导体膜，其特征在于，膜厚为7.6μm以上。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的结晶性半导体膜，其特征在于，表面积为9mm2以上。
6.一种剥离方法，其特征在于，在基板上层叠结晶性半导体膜之后，将所述结晶性半导体膜和所述基板剥离，
所述结晶性半导体膜含有具有刚玉结构的氧化物半导体作为主成分，
以所述结晶性半导体膜的膜厚成为1μm以上的方式进行所述层叠。
7.根据权利要求6所述的剥离方法，其特征在于，所述氧化物半导体含有选自镓、铟和铝中的一种或两种以上的氧化物作为主成分。
8.根据权利要求6或7所述的剥离方法，其特征在于，所述氧化物半导体至少含有镓。
9.根据权利要求6～8中任一项所述的剥离方法，其特征在于，以所述结晶性半导体膜的膜厚成为7.6μm以上的方式进行所述层叠。
10.根据权利要求6～9中任一项所述的剥离方法，其特征在于，以所述结晶性半导体膜的表面积成为9mm2以上的方式进行所述层叠。
11.根据权利要求6～10中任一项所述的剥离方法，其特征在于，通过雾化CVD法进行所述层叠。
12.根据权利要求6～11中任一项所述的剥离方法，其特征在于，所述基板为蓝宝石基板。
13.根据权利要求6～12中任一项所述的剥离方法，其特征在于，通过施加机械冲击进行剥离的方法、加热利用热应力而进行剥离的方法、施加超声波等振动进行剥离的方法或进行蚀刻而剥离的方法进行所述剥离。
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