[发明专利]彩膜基板及其制备方法在审
申请号: | 201911118797.4 | 申请日: | 2019-11-15 |
公开(公告)号: | CN111063708A | 公开(公告)日: | 2020-04-24 |
发明(设计)人: | 张良芬 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 张晓薇 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 彩膜基板 及其 制备 方法 | ||
本发明提供了一种彩膜基板及其制备方法。所述彩膜基板具有像素限定层,所述像素限定层具有第一像素限定结构和第二像素限定结构,所述第二像素限定结构包覆所述第一像素限定结构。所述像素限定层在保证其自身的遮光性和疏水性的同时,增强了其结构支撑力,使其能达到目标的高度,并且还不易出现咬边现象。
技术领域
本发明涉及显示领域,特别是一种彩膜基板及其制备方法。
背景技术
有机发光二极管显示器件(Organic Light Emitting Diode,OLED)具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽、可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点,被业界公认为是下一代的平面显示器新兴应用技术。
目前由于量子点材料(Quantum Dot,QD)本身所具有的高色纯度、光谱连续可调等优异性质,使其成为21世纪最为优秀的发光材料,可以在显示色域上大幅度提高现有液晶显示器的色彩表现,因此近年来其显示应用被广泛研究。OLED(有机电发光器件)拥有自发光、超轻薄、响应速度快、宽视角等特性,蓝光OLED器件(BOLED)是理想的量子点激发光源。因此量子点蓝光OLED器件的结合(QD-BOLED)制作的面板将同时拥有量子点与OLED的优点,从而提升产品性能。
对于采用蓝色有机发光层加光色转换层实现全彩显示的OLED显示器件,其彩膜基板的设计需要加入在像素限定层之间加入量子点光转换层。但是,在现有技术中所述制备的像素限定层为单层结构,无法做到喷墨打印所述需求的高度,并且容易出现咬边现象,影响量子点光转换层的制备,影响OLED蓝光的转换。
发明内容
本发明的目的是提供一种彩膜基板及其制备方法,以解决现有技术中像素限定层出现的咬边现象,提高量子点光转换层的稳定性,提高蓝光转换的效率。
为实现上述目的,本发明提供一种彩膜基板,其具有像素限定层,所述像素限定层具有第一像素限定结构和第二像素限定结构,所述第二像素限定结构包覆所述第一像素限定结构。
进一步地,所述彩膜基板还包括基板、黑色矩阵、彩色像素层、透明保护层。所述黑色矩阵设于所述基板上,在所述黑色矩阵上具有若干第一开口。所述彩色像素层设于所述第一开口内的基板上。所述透明保护层覆于所述彩色像素层以及所述黑色矩阵上。
其中,所述像素限定层设于所述透明保护层远离所述彩色像素层的一表面上,并且所述像素限定层对应于所述黑色矩阵。
进一步地,所述彩色像素层包括若干红色子像素、绿色子像素以及蓝色子像素,所述红色子像素、所述绿色子像素以及所述蓝色子像素均匀分布于所述基板上,并对应填充于所述第一开口内。
进一步地,在所述像素限定层内具有若干第二开口,所述第二开口对应于所述第一开口。所述彩膜基板还包括量子点光转换层,设于所述第二开口内的透明保护层上内。
进一步地,与所述红色子像素和与所述绿色子像素所对应的第二开口内具有所述量子点光转换层。
进一步地,所述第一像素限定结构所用材料包含氧化硅、氮化硅和有机材料中的一种或多种。所述第二像素限定结构所用材料为遮光的疏水性材料。
进一步地,所述像素限定层的截面形状和所述第一像素限定结构的截面形状均为梯形。
进一步地,所述像素所限定层的的高度大于6um。
本发明中还提供一种彩膜基板的制备方法,其包括以下步骤:提供一基板;在所述基板上形成第一像素限定结构;在所述第一像素限定结构上形成第二像素限定结构。
进一步地,在提供一基板步骤后还包括以下步骤:在所述基板上形成黑色矩阵;在所述基板上形成彩色像素层;在所述黑色矩阵和所述彩色像素层上形成透明保护层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的