[发明专利]电子器件以及电子器件的操作方法

说明书

本申请公开了电子器件以及电子器件的操作方法。一种半导体存储器包括位线、字线、耦接在位线与字线之间的存储单元、以及被配置为感测选中的存储单元的状态的感测电路。在选中的存储单元的读取操作期间，该电子器件被配置为：将选中的字线预充电至第一电压，将未选中的字线预充电至第二电压，使所述选中的字线和所述未选中的字线浮置，将位线电压施加到选中的位线，利用在未选中的位线与所述未选中的字线之间流动的第一泄漏电流来调整所述未选中的字线的电压电平，将所述选中的字线和所述未选中的字线耦接到感测电路，并将所述选中的字线的电压电平与所述未选中的字线的电压电平进行比较。

相关申请的交叉引用

本申请要求2019年5月3日提交的申请号为10-2019-0052490的韩国专利申请的优先权，其公开内容通过引用整体合并于此。

技术领域

本公开的各种实施例总体上涉及一种存储电路或存储器件，以及其在电子器件中的应用。

背景技术

近来，电子器件的小型化、低功耗、高性能和多样化需要被配置为将信息储存在诸如计算机和便携式通信设备之类的各种电子器件中的半导体器件，并且正在对其进行研究。被配置为利用根据被施加的电压或电流而在不同的电阻相之间的切换特性来储存数据的半导体器件的示例可以包括电阻式随机存取存储器(RRAM)、相变随机存取存储器(PRAM)、铁电随机存取存储器(FRAM)、磁性随机存取存储器(MRAM)和E熔丝。

发明内容

本公开的各种实施例提供了一种稳定地读取电阻式存储器的数据的电子器件。

根据实施例，一种操作包括多个位线和多个字线的电子器件的方法可以包括：将来自多个字线中的选中的字线预充电至第一电压；将来自多个字线中的未选中的字线预充电至第二电压；使所述选中的字线和所述未选中的字线浮置；向来自多个位线中的选中的位线施加位线电压；利用在未选中的位线与所述未选中的字线之间流动的第一泄漏电流来调整所述未选中的字线的电压电平；将所述选中的字线和所述未选中的字线耦接到感测电路；以及将所述选中的字线的电压电平与所述未选中的字线的电压电平进行比较。

根据实施例，一种电子器件可以包括：半导体存储器，其包括多个位线、与多个位线交叉的多个字线、以及相应地耦接在多个位线与多个字线之间的多个存储单元；以及感测电路，其被配置为感测来自所述多个存储单元中的选中的存储单元的状态，其中，在所述选中的存储单元的读取操作期间，所述电子器件被配置为：将来自所述多个字线中的选中的字线预充电至第一电压，将来自所述多个字线中的未选中的字线预充电至第二电压，使所述选中的字线和所述未选中的字线浮置，向来自所述多个位线中的选中的位线施加位线电压，利用在未选中的位线与所述未选中的字线之间流动的第一泄漏电流来调整所述未选中的字线的电压电平，将所述选中的字线和所述未选中的字线耦接到所述感测电路，并将所述选中的字线的电压电平与所述未选中的字线的电压电平进行比较。

附图说明

图1是示出根据本公开的实施例的电子器件的结构的图；

图2是示出根据本公开的实施例的存储单元的I-V曲线的图；

图3A和图3B是示出根据本公开的实施例的操作电子器件的方法的图；

图4A和图4B是示出根据本公开的实施例的操作电子器件的方法的图；

图5A和图5B是示出根据本公开的实施例的操作电子器件的方法的图；

图6A和图6B是示出根据本公开的实施例的操作电子器件的方法的图；

图7是示出根据本公开的实施例的操作电子器件的方法的图；

图8是示出实施了根据本公开的实施例的存储器件的微处理器的配置的图；

图9是示出实施了根据本公开的实施例的存储器件的处理器的配置的图；