[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件制造方法，其特征在于，所述半导体器件制造方法包括如下步骤：

S1、在硅基片的正面开设需求数量的槽体；

S2、将第一芯片、第二芯片的晶圆减薄到需求厚度；

所述步骤S2具体包括：先将第一芯片、第二芯片的晶圆减薄到需求厚度，再将减薄后的晶圆切割形成单颗芯片；或者；所述步骤S2具体包括：先切割形成单颗芯片，再对单颗第一芯片、第二芯片的晶圆减薄到需求厚度；

S3、将第一芯片、第二芯片分别固定于开设的槽体中；

S4、在第一芯片、第二芯片表层的阻焊层上设置焊点；

S5、将硅基片的背面进行减薄，再第三芯片以倒装方式焊接于设置的焊点上；

所述第一芯片为ISP芯片，所述第二芯片为DDR芯片，所述第三芯片为CMOS芯片；所述DDR芯片分置于所述ISP芯片的两侧；且将CMOS芯片以倒装方式焊接于设置的焊点上时，用超薄玻璃100-200um进行键合，通过TSV技术实现超薄封装，总体封装厚度小于600um。

2.根据权利要求1所述的半导体器件制造方法，其特征在于，所述步骤S3中，将第一芯片、第二芯片通过粘胶方式粘接于所在槽体的底面。

3.根据权利要求1或2所述的半导体器件制造方法，其特征在于，所述步骤S3中，在所述第一芯片、第二芯片的表面及第一芯片、第二芯片与槽体之间的间隙形成钝化层，同时在钝化层上形成芯片的焊接位置。

4.根据权利要求1或2所述的半导体器件制造方法，其特征在于，所述步骤S3和S4之间，还包括：通过重布线的方式，将第一芯片和第二芯片的信号引出。

5.根据权利要求4所述的半导体器件制造方法，其特征在于，所述重布线的方式为金属重布线，其包括：在第一芯片和第二芯片的焊接位置沉积一层种子层，再光刻出线路，然后将金属线路加厚至要求的厚度。

6.根据权利要求4所述的半导体器件制造方法，其特征在于，所述重布线的方式为多层金属重布线，其包括：在第一芯片和第二芯片的焊接位置逐层沉积种子层，在沉积的同时光刻出线路，在最后一层线路上采用化镀方式形成保护层。

7.根据权利要求1所述的半导体器件制造方法，其特征在于，所述半导体器件制造方法还包括：

S6、将步骤S5得到的产品切割，得到单颗封装体，将所述单颗封装体通过打线方式焊接到PCB板上。

8.根据权利要求1所述的半导体器件制造方法，其特征在于，所述第一芯片为ISP芯片，所述第二芯片为DDR芯片，所述第三芯片为CMOS芯片。

9.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件通过如权利要求1至8任一项所述半导体器件制造方法得到的，所述半导体器件的总体封装厚度小于600um。