[发明专利]一种基于F-P腔的四极化MIMO天线有效

专利信息
申请号: 201911119291.5 申请日: 2019-11-15
公开(公告)号: CN110854530B 公开(公告)日: 2022-07-12
发明(设计)人: 朴大志;王轶珏 申请(专利权)人: 中国传媒大学
主分类号: H01Q1/38 分类号: H01Q1/38;H01Q1/48;H01Q1/50;H01Q15/24
代理公司: 广州三环专利商标代理有限公司 44202 代理人: 郝传鑫;贾允
地址: 100024 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 极化 mimo 天线
【权利要求书】:

1.一种基于F-P腔的四极化MIMO天线,其特征在于,所述天线具有如下结构:

金属地板(11),底层介质基板(12),第一、二激励天线(13),第三、四激励天线(14),介质腔(15),上层介质基板(16),周期性金属贴片(17);

所述上层介质基板(16)与所述周期性金属贴片(17)共同组成部分反射表面(Partially Reflective Surface,PRS);

所述部分反射表面、介质腔(15)与金属地板(11)、底层介质基板(12)共同构成F-P腔;

所述部分反射表面构成所述F-P腔的一端,所述金属地板(11)和底层介质基板(12)构成所述F-P腔的另一端;

第一、二激励天线(13)为微带贴片天线,第三、四激励天线(14)为电偶极子天线;第一、二激励天线(13),第三、四激励天线(14)设置于所述介质腔(15)内部;第一、二激励天线(13)设置在所述底层介质基板上,第三、四激励天线(14)平行于所述金属地板(11)放置,其中第一、二激励天线(13)激励形成一个双极化微带贴片天线,得到两个正交的磁场分量;第三、四激励天线(14)激励形成两个正交的电偶极子天线,得到两个正交的电场分量。

2.根据权利要求1所述的MIMO天线,其特征在于,激励源由四个馈电端口(18)施加,每个馈电端口(18)对应一个激励源。

3.根据权利要求1所述的MIMO天线,其特征在于,所述周期性金属贴片(17)为矩形或圆形。

4.根据权利要求1所述的MIMO天线,其特征在于,所述周期性金属贴片(17)为周期性的阵列形式。

5.根据权利要求1所述的MIMO天线,其特征在于,介质腔(15)高度为所述天线中心频率所对应波长的一半。

6.根据权利要求1所述的MIMO天线,其特征在于,第三、四激励天线(14)高度为所述介质腔(15)高度的一半。

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