[发明专利]PECVD淀积非晶硅薄膜的方法及其应用在审
| 申请号： | 201911119295.3 | 申请日： | 2019-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN110760925A | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 许佳平;曹育红;罗西佳;符黎明 | 申请（专利权）人： | 常州时创能源科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/16 | 分类号： | C30B25/16;C30B29/06;C30B33/02;H01L31/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 213300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沉积 退火 非晶硅薄膜 淀积非晶硅薄膜 非晶硅 减小 薄膜 等离子体轰击 高温晶化 退火工艺 不均匀 分阶段 断裂 释放 | ||
1.PECVD淀积非晶硅薄膜的方法，其特征在于，在开始沉积非晶硅之后，且在非晶硅薄膜沉积完成之前，进行退火。
2.根据权利要求1所述的PECVD淀积非晶硅薄膜的方法，其特征在于，沉积非晶硅和退火在同一工艺腔室中进行。
3.根据权利要求1或2所述的PECVD淀积非晶硅薄膜的方法，其特征在于，分阶段逐步沉积非晶硅，直至非晶硅薄膜沉积完成。
4.根据权利要求3所述的PECVD淀积非晶硅薄膜的方法，其特征在于，每个阶段包括：沉积非晶硅，以及在沉积非晶硅完成后进行的退火。
5.根据权利要求4所述的PECVD淀积非晶硅薄膜的方法，其特征在于，分2～10个阶段逐步沉积非晶硅，直至非晶硅薄膜沉积完成。
6.根据权利要求4所述的PECVD淀积非晶硅薄膜的方法，其特征在于，各个阶段的沉积非晶硅过程中，通入沉积工艺气体，且激发形成等离子体；
各个阶段的退火过程中，停止通入沉积工艺气体，且停止等离子体的激发。
7.根据权利要求6所述的PECVD淀积非晶硅薄膜的方法，其特征在于，所述沉积工艺气体包括硅烷和氢气，还包括磷烷或硼烷。
8.根据权利要求6所述的PECVD淀积非晶硅薄膜的方法，其特征在于，各个阶段的退火过程中，通入退火工艺气体。
9.根据权利要求8所述的PECVD淀积非晶硅薄膜的方法，其特征在于，所述退火工艺气体为氮气。
10.根据权利要求9所述的PECVD淀积非晶硅薄膜的方法，其特征在于，各个阶段的退火过程中，通入氮气的流量控制在不大于10000sccm。
11.根据权利要求6所述的PECVD淀积非晶硅薄膜的方法，其特征在于，各个阶段的退火过程中，工艺腔室的气压控制在0～2000Pa。
12.根据权利要求6所述的PECVD淀积非晶硅薄膜的方法，其特征在于，同一个阶段中，退火的温度与沉积非晶硅的温度相同。
13.根据权利要求6所述的PECVD淀积非晶硅薄膜的方法，其特征在于，同一个阶段中，退火的温度比沉积非晶硅的温度高，且温差不大于200℃。
14.根据权利要求12或13所述的PECVD淀积非晶硅薄膜的方法，其特征在于，沉积非晶硅的温度控制在200～600℃。
15.根据权利要求6所述的PECVD淀积非晶硅薄膜的方法，其特征在于，各个阶段的退火时间控制在60～1800s。
16.Topcon电池的制备方法，包括：PECVD淀积非晶硅薄膜，以及对淀积完成的非晶硅薄膜进行高温晶化处理；其特征在于，采用权利要求1至15中任一项所述的方法进行PECVD淀积非晶硅薄膜。
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