[发明专利]发光二极管以及发光二极管制备方法

权利要求书

1.一种发光二极管，其特征在于，包括：

衬底(10)；

缓冲层(20)、氮化镓层(30)、N型半导体层(40)、应力释放层(50)以及多量子阱层(60)，在所述衬底(10)表面依次层叠设置；

P型半导体层(70)，设置于所述多量子阱层(60)远离所述应力释放层(50)的表面；

所述P型半导体层(70)包括多个子半导体层(710)，所述多个子半导体层(710)层叠设置于所述多量子阱层(60)远离所述应力释放层(50)的表面；

每个所述子半导体层(710)包括AlN层(711)、掺镁In_xAl_yGa_1-x-yN层(712)以及掺镁InGaN层(713)；

所述AlN层(711)、所述掺镁In_xAl_yGa_1-x-yN层(712)以及所述掺镁InGaN层(713)依次层叠设置于所述多量子阱层(60)远离所述应力释放层(50)的表面；

在远离所述多量子阱层(60)的方向，依次层叠设置的多个所述子半导体层(710)中所述掺镁In_xAl_yGa_1-x-yN层(712)中x逐渐增加，y逐渐减少；

所述掺镁In_xAl_yGa_1-x-yN层(712)的掺镁浓度小于所述掺镁InGaN层(713)的掺镁浓度；

多个所述子半导体层(710)中所述掺镁In_xAl_yGa_1-x-yN层(712)中x在0～0.18范围内逐渐增加，所述掺镁In_xAl_yGa_1-x-yN层(712)中y在0～0.82范围内逐渐减少。

2.一种发光二极管制备方法，其特征在于，包括：

S10，提供衬底(10)，在所述衬底(10)表面依次制备缓冲层(20)、氮化镓层(30)、N型半导体层(40)、应力释放层(50)以及多量子阱层(60)；

S20，设置生长温度740℃～940℃，在所述多量子阱层(60)远离所述应力释放层(50)的表面制备AlN层(711)；

S30，设置生长温度720℃～920℃，在所述AlN层(711)远离所述多量子阱层(60)的表面制备掺镁In_xAl_yGa_1-x-yN层(712)；

S40，设置生长温度700℃～880℃，在所述掺镁In_xAl_yGa_1-x-yN层(712)远离所述AlN层(711)的表面制备掺镁InGaN层(713)；

S50，根据所述步骤S20～S40，在所述多量子阱层(60)远离所述应力释放层(50)的表面依次循环4～10次制备多个所述子半导体层(710)；

所述掺镁In_xAl_yGa_1-x-yN层(712)的掺镁浓度小于所述掺镁InGaN层(713)的掺镁浓度；

沿远离所述多量子阱层(60)的方向，多个所述子半导体层(710)中所述掺镁In_xAl_yGa_1-x-yN层(712)的x逐渐增加，y逐渐减少；

在所述步骤S50中，沿远离所述多量子阱层(60)的方向，所述掺镁In_xAl_yGa_1-x-yN层(712)中x在0～0.18范围内逐渐增加，所述掺镁In_xAl_yGa_1-x-yN层(712)中y在0～0.82范围内逐渐减少。

3.如权利要求2所述的发光二极管制备方法，其特征在于，所述AlN层(711)的厚度为5埃～10埃，所述掺镁In_xAl_yGa_1-x-yN层(712)的厚度为20埃～50埃，所述掺镁InGaN层(713)的厚度为50埃～100埃。