[发明专利]一种抗紫外高雾度高透光率聚酯薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种抗紫外高雾度高透光率聚酯薄膜，其特征在于，由上表层、芯层及下表层组成，所述芯层按重量百分比由以下原料制成：抗紫外聚酯切片5％～10％、聚对苯二甲酸乙二醇酯切片90％～95％；所述上表层按重量百分比由以下原料制成：抗紫外聚酯切片3％～9％、抗粘连剂1％～3％、聚对苯二甲酸乙二醇酯切片90％～96％；所述下表层按重量百分比由以下原料制成：高雾度高透光率扩散母料10％～30％、聚对苯二甲酸乙二醇酯切片70％～90％；

所述高雾度高透光率扩散母料按重量百分比由以下原料制成：聚对苯二甲酸乙二醇酯85％～90％、PMMA/有机硅复合微球10％～15％；

所述抗紫外聚酯切片按重量百分比由以下原料制成：聚对苯二甲酸乙二醇酯92％～95％、无机纳米抗紫外吸收剂5％～8％。

2.根据权利要求1所述的抗紫外高雾度高透光率聚酯薄膜，其特征在于，所述PMMA/有机硅复合微球由以下原料制成：有机硅单体共混物、甲基丙烯酸甲酯、乙烯基三氯硅烷、引发剂Ⅰ、引发剂Ⅱ、催化剂、封端剂；优选地，所述有机硅单体共混物由化学式为C_nH_2n+1-SiCH₃(OCH₃)₂、CN-SiCH₃(OCH₃)₂、NH₂-SiCH₃(OCH₃)₂的有机硅单体按照摩尔比(0.8～1):(0.85～1):(0.9～1)共混得到，式中n＝15～20；优选地，所述引发剂Ⅰ为环四硅氧烷、引发剂Ⅱ为过氧化二苯甲酰、催化剂为钛酸乙二酯、封端剂为三甲基硅烷。

3.根据权利要求2所述的抗紫外高雾度高透光率聚酯薄膜，其特征在于，所述有机硅单体共混物、甲基丙烯酸甲酯、乙烯基三氯硅烷的摩尔比为(3～3.5)：(5～6)：(0.5～2)；优选地，所述引发剂Ⅰ、引发剂Ⅱ、催化剂、封端剂的重量之和为所述有机硅单体共混物重量的0.1％～0.5％。

4.根据权利要求2或3所述的抗紫外高雾度高透光率聚酯薄膜，其特征在于，所述PMMA/有机硅复合微球的制备方法如下：在真空度为-0.12～-0.10Mpa，惰性气氛保护下，在溶剂中加入有机硅单体共混物、引发剂Ⅰ环四硅氧烷，水解至透明，然后加入甲基丙烯酸甲酯和乙烯基三氯硅烷，以及引发剂Ⅱ过氧化二苯甲酰、催化剂钛酸乙二酯、封端剂三甲基硅烷，在温度为100～110℃、搅拌速度为1000～1500r/min条件下反应3～5h，即得。

5.根据权利要求1-4任一项所述的抗紫外高雾度高透光率聚酯薄膜，其特征在于，所述高雾度高透光率扩散母料的制备方法为：将聚对苯二甲酸乙二醇酯与PMMA/有机硅复合微球经熔融共混挤出后经冷却、切粒，干燥后得到。

6.根据权利要求1-5任一项所述的抗紫外高雾度高透光率聚酯薄膜，其特征在于，所述无机纳米抗紫外吸收剂为纳米二氧化钛、氧化锌中的至少一种。

7.一种如权利要求1-6任一项所述的抗紫外高雾度高透光率聚酯薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、分别将芯层、上表层、下表层的原料在270～290℃下加热熔融得到芯层熔体、上表层熔体、下表层熔体；

S2、将所述芯层熔体、上表层熔体和下表层熔体在三层共挤模头中汇合，挤出，得到混合熔体，所述三层共挤模头的温度为265～295℃；

S3、将所述混合熔体经过贴附形成铸片；

S4、将所述铸片经预热后进行纵向拉伸，所述纵向拉伸的方式为双点拉伸，拉伸倍数为4.0～4.5倍，然后冷却至20～40℃；

S5、将步骤S4纵向拉伸得到的片材经预热后进行横向拉伸，所述横向拉伸的拉伸倍数为4.0～4.5倍；

S6、经步骤S5横向拉伸得到的片材经200～250℃热定型成薄膜；

S7、对薄膜的上表面、下表面进行电晕处理，使薄膜表面张力达到52～60mN/m，即得抗紫外高雾度高透光率聚酯薄膜。