[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其具备：

第1驱动电路，其驱动第1功率器件；以及

自举控制电路，其与所述第1驱动电路连接，

以GND电位为基准的电源电压V_CC对在表示所述第1驱动电路的电源电压的V_B端子和表示所述第1驱动电路的基准电压的V_S端子之间连接的电容器进行充电，将该充电而得到的电压向所述第1驱动电路供给，

所述自举控制电路具备：

N型MOSFET；

升压控制电路，其与所述MOSFET的栅极端子连接；

背栅控制电路，其具有与所述MOSFET的背栅端子连接的输出端；以及

V_B电位检测电路，其与所述背栅控制电路的输入端连接，并且对所述第1驱动电路的电源电压即电压V_B进行检测，

所述MOSFET的漏极端子与所述V_B端子连接，

所述MOSFET的源极端子与所述电源电压V_CC连接，

在由所述V_B电位检测电路检测出的所述电压V_B小于或等于所述电源电压V_CC的情况下，所述升压控制电路通过控制输入到所述栅极端子的栅极信号，从而使所述MOSFET为接通状态，所述背栅控制电路使施加到所述背栅端子的电压小于所述电压V_B。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

在由所述V_B电位检测电路检测出的所述电压V_B大于所述电源电压V_CC的情况下，所述升压控制电路通过控制输入到所述栅极端子的所述栅极信号，从而使所述MOSFET为断开状态，所述背栅控制电路使施加到所述背栅端子的电压等于所述电源电压V_CC。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

在由所述V_B电位检测电路检测出的电压V_B小于或等于电源电压V_CC的情况下，所述背栅控制电路控制施加到所述背栅端子的电压，以使得施加到所述源极端子的电压与施加到所述背栅端子的电压之差小于PN结的反向耐压。

4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

在由所述V_B电位检测电路检测出的电压V_B大于电源电压V_CC的情况下，所述背栅控制电路控制施加到所述背栅端子的电压，以使得施加到所述背栅端子的电压小于所述电源电压V_CC，并且使施加到所述源极端子的电压与施加到所述背栅端子的电压之差小于PN结的反向耐压。

5.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

还具备驱动与所述第1功率器件图腾柱连接的第2功率器件的第2驱动电路，

所述第1功率器件与高压侧电压连接，

所述第2功率器件与GND电位连接，

对所述第2驱动电路供给电源电压V_CC。