[发明专利]发光二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种发光二极管，包括衬底和依次堆叠在所述衬底上的N型氮化镓层、发光层和P型氮化镓层，所述P型氮化镓层上开设有延伸至所述N型氮化镓层的凹槽，其中，所述发光二极管还包括：

电流扩展层，堆叠在所述P型氮化镓层上，且开设有延伸至所述P型氮化镓层的第一通孔；

保护层，堆叠在所述电流扩展层和所述凹槽的表面上，所述保护层开设有延伸至所述电流扩展层且与所述第一通孔垂直连通的第二通孔，并在所述凹槽内开设有延伸至所述N型氮化镓层的第三通孔；

第一类型焊盘，位于所述第一通孔和所述第二通孔内，且部分覆盖所述保护层的表面；以及

第二类型焊盘，位于所述第三通孔内且部分覆盖所述保护层的表面。

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，所述第一类型焊盘在与所述保护层和所述第二通孔接触的位置呈台阶状，且所述第二类型焊盘在与所述保护层和所述第三通孔接触的位置呈台阶状。

3.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，所述第一通孔和所述第二通孔为圆形通孔，所述第三通孔为方形通孔。

4.根据权利要求3所述的发光二极管，其中，所述第一通孔和所述第二通孔共圆心。

5.根据权利要求3所述的发光二极管，其中，所述第二通孔的直径大于所述第一通孔的直径。

6.根据权利要求3所述的发光二极管，其中，所述第一类型焊盘的位于所述保护层的表面以上的部分呈圆柱状，所述第二类型焊盘的位于所述保护层的表面以上的部分呈方体柱状。

7.根据权利要求6所述的发光二极管，其中，圆柱状的所述第一类型焊盘的底面直径大于所述第二通孔的直径，方体柱状的所述第二类型焊盘的长度大于所述第三通孔的长度。

8.根据权利要求3所述的发光二极管，其中，所述第二通孔的深度为80-1000nm，所述第三通孔的深度为80-1000nm。

9.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，所述电流扩展层为氧化铟锡层，厚度为35-300nm。

10.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，所述保护层包括硅的氧化物层和/或硅的氮化物层。

11.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，所述第一类型焊盘为P型焊盘，所述第二类型焊盘为N型焊盘。

12.一种发光二极管的制备方法，其中，包括：

在衬底上依次生长N型氮化镓层、发光层和P型氮化镓层；

在所述P型氮化镓层上生长部分覆盖所述P型氮化镓层的电流扩展层，并在所述电流扩展层上刻蚀出延伸至所述P型氮化镓层的第一通孔；

在所述P型氮化镓层上开设延伸至所述N型氮化镓层的凹槽；

在所述P型氮化镓层、所述电流扩展层和所述凹槽内的所述N型氮化镓层上沉积保护层；

在所述保护层上开设延伸至所述电流扩展层且与所述第一通孔垂直连通的第二通孔，并在所述凹槽内的所述保护层上开设延伸至所述N型氮化镓层的第三通孔；

在所述第一通孔、所述第二通孔内设置第一类型焊盘，在所述第三通孔内设置第二类型焊盘，其中，所述第一类型焊盘填充所述第二通孔并延伸出且部分覆盖所述保护层的表面，所述第二类型焊盘填充所述第三通孔并延伸出且部分覆盖所述保护层的表面。

13.根据权利要求12所述的制备方法，其中，所述第一类型焊盘在与所述保护层和所述第二通孔接触的位置呈台阶状，且所述第二类型焊盘在与所述保护层和所述第三通孔接触的位置呈台阶状。

14.根据权利要求12所述的制备方法，其中，所述第一通孔和所述第二通孔为圆形通孔，所述第三通孔为方形通孔。