[发明专利]发光二极体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种发光二极体结构，其特征在于，包括：

一半导体叠层，包括：

一第一半导体层，其中该第一半导体层具有暴露在外的一发光面，且该发光面具有一粗糙纹理；

一发光层，设置在该第一半导体层上；以及

一第二半导体层，设置在该发光层上，其中该第二半导体层具有与该第一半导体层不同的型态；以及

一支撑断点，位于该发光面上。

2.根据权利要求1所述的发光二极体结构，其特征在于，该第一半导体层包括一第一部分及一第二部分，该第二部分设置在该第一部分上，并且该第一部分具有一宽度大于该第二部分的一宽度。

3.根据权利要求1所述的发光二极体结构，其特征在于，该第一半导体层包括一掺杂半导体层及一未掺杂半导体层，该掺杂半导体层位于该发光层及该未掺杂半导体层之间，并且该发光面位于该未掺杂半导体层上。

4.根据权利要求1所述的发光二极体结构，其特征在于，还包括一绝缘层覆盖该半导体叠层的一侧壁。

5.根据权利要求1所述的发光二极体结构，其特征在于，还包括：

一第一导电垫，电性连接到该第一半导体层；以及

一第二导电垫，电性连接到该第二半导体层。

6.一种半导体结构，其特征在于，包括：

至少一半导体叠层，其中该半导体叠层包括依序堆叠的一第一半导体层，一发光层及一第二半导体层，其中该第一半导体层具有暴露在外的一发光面，且该发光面具有一粗糙纹理；以及

至少一支撑架，其中该支撑架对应该半导体叠层并接触该半导体叠层的该发光面。

7.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，该支撑架能够被折断。

8.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，该第二半导体层具有与该第一半导体层不同的型态。

9.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，该第一半导体层包括一第一部分及一第二部分，该第二部分设置在该第一部分上，并且该第一部分具有一宽度大于该第二部分的一宽度。

10.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，该第一半导体层包括一掺杂半导体层及一未掺杂半导体层，该掺杂半导体层位于该发光层及该未掺杂半导体层之间，并且该发光面位于该未掺杂半导体层上。

11.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，还包括一绝缘层覆盖该半导体叠层的至少一侧壁，其中该绝缘层具有一第一开口及一第二开口分别位于该第一半导体层及该第二半导体层上。

12.根据权利要求11所述的半导体结构，其特征在于，还包括：

一第一导电垫，通过该第一开口电性连接到该第一半导体层；以及

一第二导电垫，通过该第二开口电性连接到该第二半导体层。

13.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，还包括一承载基板，位于该至少一支撑架下方。

14.一种制造发光二极体结构的方法，其特征在于，包括：

形成一前驱结构，包括：

一承载基板；

一支撑层，设置在该承载基板上，其中该支撑层具有一基底部分及至少一支撑架从该基底部分突出；

一牺牲层，设置在该支撑层的该基底部分上，其中该牺牲层具有一高度实质上等于该支撑架的一高度；以及

一磊晶叠层，位于该牺牲层上，其中该磊晶叠层具有一发光面接触该支撑架及该牺牲层，并且该发光面具有一粗糙纹理；

移除该磊晶叠层的一部分以形成至少一半导体叠层，并暴露该牺牲层的一部分，其中该半导体叠层对应该支撑架；以及

移除与该支撑架接触的该牺牲层的至少一部分，使得该半导体叠层被该支撑架支撑并与该牺牲层分离。