[发明专利]一种直拉单晶用新型籽晶及熔接工艺

权利要求书

1.一种直拉单晶用新型籽晶，包括依次同轴连接的一级晶段、二级晶段和三级晶段，其特征在于，还包括延长晶段，所述延长晶段置于所述三级晶段远离所述二级阶段一侧，所述延长晶段沿所述三级晶段轴线方向向外且与所述三级晶段一体连接设置，所述延长晶段为锥形结构，所述延长晶段的大径端面与所述三级晶段外径相同。

2.根据权利要求1所述的一种直拉单晶用新型籽晶，其特征在于，所述延长晶段的锥形角度为30-90°。

3.根据权利要求2所述的一种直拉单晶用新型籽晶，其特征在于，所述延长晶段的锥形角度为63°26′。

4.根据权利要求1-3任一项所述的一种直拉单晶用新型籽晶，其特征在于，所述延长晶段与所述三级晶段同轴设置；所述在所述延长晶段的顶角为圆弧形结构。

5.根据权利要求4所述的一种直拉单晶用新型籽晶，其特征在于，所述延长晶段的长度小于所述三级晶段直径；所述延长晶段的长度等于所述三级晶段长度的1/10-1/15。

6.根据权利要求1-3、5任一项所述的一种直拉单晶用新型籽晶，其特征在于，所述三级晶段直径为3-5mm；所述一级晶段直径为5-7mm；所述三级晶段的长度是50-80mm。

7.一种直拉单晶用新型籽晶的熔接工艺，其特征在于，采用如权利要求1-6任一项所述的新型籽晶，包括：当坩埚内硅原料熔化稳温后，开始缓慢下降所述籽晶并使所述延长晶段的下端面至熔硅液面一定位置处，对所述籽晶预热；再使预热后的所述籽晶与熔硅进行熔接。

8.根据权利要求7所述的一种直拉单晶用新型籽晶的熔接工艺，其特征在于，在预热所述籽晶时，所述延长晶段下端面至熔硅液面的距离为3-5mm。

9.根据权利要求7或8所述的一种直拉单晶用新型籽晶的熔接工艺，其特征在于，还包括在熔接后，所述籽晶缓慢下降，所述坩埚转速先下降再上升。

10.根据权利要求9所述的一种直拉单晶用新型籽晶的熔接工艺，其特征在于，所述坩埚转速由10rpm下降至5rpm后，再从5rpm上升至10rpm。