[发明专利]一种通过构建二维横向异质结产生电荷密度波的方法

权利要求书

1.一种通过构建二维横向异质结产生电荷密度波的方法，其特征在于，包括以下步骤：

S10、选择晶格常数相匹配的黑磷和蓝磷进行横向异质结构的搭建，形成准一维界面；

S20、进行能带结构和电荷密度计算；

S30、对奇数位或偶数位的P原子进行相对位移，形成双倍周期的准一维界面，进行晶体结构优化，形成peierls型体系；

S40、对形变的体系进行能带结构和电荷密度计算，确认电荷密度波的产生；

S50、对形变的体系进行分子动力学模拟；

S60、构建一维的P原子链状结构，验证peierls不稳定性是否存在于单纯的一维P原子链，与构建的异质结准一维界面进行对比；

S70、对形变和未形变两种异质结构做电子结构对比，分析peierls不稳定性对器件性能的影响；

S80、选择石墨烯和h-BN二维材料构建横向异质结准一维界面，判断是否产生电荷密度波，确定该方法是否适用于其他二维体系。

2.如权利要求1所述的通过构建二维横向异质结产生电荷密度波的方法，其特征在于，所述步骤S50具体包括：

对形变的体系进行分子动力学模拟，温度设置在室温300K，时间选择10皮秒，晶体结构趋于稳定状态。

3.如权利要求1所述的通过构建二维横向异质结产生电荷密度波的方法，其特征在于，所述步骤S10具体包括：

选择晶格常数相匹配的单层黑磷和蓝磷分别进行结构优化，对优化好的单层磷烯进行横向异质结构的构建，保证相邻对应的P原子x坐标方向一致，重新进行晶体结构优化，优化好的结构界面处呈现等间距的准一维界面。

4.如权利要求1所述的通过构建二维横向异质结产生电荷密度波的方法，其特征在于，黑磷和蓝磷和晶格常数分别为3.314埃和3.278埃。

5.如权利要求4所述的通过构建二维横向异质结产生电荷密度波的方法，其特征在于，位移后的P原子间距由原来的3.27埃变为2.48埃。