[发明专利]一种发光二极管及其制作方法有效
申请号: | 201911122389.6 | 申请日: | 2019-11-15 |
公开(公告)号: | CN110911534B | 公开(公告)日: | 2021-10-29 |
发明(设计)人: | 陈柏羽;邓有财;张中英 | 申请(专利权)人: | 厦门三安光电有限公司 |
主分类号: | H01L33/38 | 分类号: | H01L33/38;H01L33/46;H01L33/54 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 361100 福建省厦门市*** | 国省代码: | 福建;35 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 发光二极管 及其 制作方法 | ||
本发明提供了一种发光二极管,包含:与发光二极管的第一半导体层电连接的第一电极,与第二半导体层电连接的第二电极,第一电极和/或第二电极依次包括第一反射层、接垫层和至少部分包覆接垫层的第二反射层,第一反射层和/或第二反射层包括的材料莫氏硬度不小于6,通过高硬度材料防止接垫层受外力挤压而变形压伤,提高发光二极管的可靠性。
技术领域
本发明是有关于一种半导体制造领域,特别是指一种具有高可靠性电极的发光二极管。
背景技术
参看图1,现有LED芯片电极结构设计因考虑到其光萃取效率, 在电极结构中增加高反射率之材料作为反射层200以提高光效, 但大多高反射材料:例如银、铝等,其特性易受环境、温度、湿度、酸碱度等影响而降低产品稳定性, 故在其后覆盖迁移率低的金属保护层230加以保护, 但此设计仅能延长此反射层材料与环境反应之时间, 无法完全避免其金属材料迁移或析出及电极脱落等重大异常, 导致终端产品模块无法正常运作;且因此电极结构设计会限制产品设计及应用领域,如高电流高电压驱动,极端环境等。
发明内容
本发明就是针对背景技术的问题提出一种可行的解决方案,借由稳定金属铑、钌或者铂采用双反射层结构,构建可靠性强的电极设计。
本发明提供的第一个实施例中,公开了一种发光二极管,包含:
基板,以正装产品为例,包括表面具有一系列凸起的基板,包括例如采用干法蚀刻制作的没有固定斜率的凸起,又或者采用湿法蚀刻的具有一定斜率的凸起,和位于衬底上通过金属化学气相沉积制作的外延发光层,例如氮化镓基的外延材料组成,外延发光层包括覆盖在衬底上的第一半导体层、第二半导体层和位于两者之间的有源层,衬底在工艺中可被减薄或者去除。
与第一半导体层连接有第一电极,与第二半导体层连接有第二电极,可以设定为第一半导体层为N极性的,第二半导体层为P极性的,通过不同掺杂成分实现极性变化。
第一电极和/或第二电极包括可以直接作为与外延发光层接触的第一反射层、用于打线或者键合的接垫层和至少部分包覆接垫层的第二反射层,以出光波长为250纳米至850纳米为例,第一反射层和/或第二反射层的反射率不小于20%,优选不小于45%,第一反射层的材料和/或第二反射层的材料可以包括铑、铂、钌,或者至少上述一种金属的合金,或者至少上述一种金属的共镀材料,合金中上述金属的比例超过50%,该些材料组成的第二反射层具有高机械强度、稳定性,可提高电极抗刮伤压伤的能力,特别是钌具有较高的莫氏硬度值,第二反射层表面可以镀附氧化硅、氮化硅、氧化铝、氮化铝、氧化铌、氧化钛或者氮化钛等绝缘保护层,以接垫层通常采用的金材料为例,第二反射层对二氧化硅或者氧化铝的粘附性更好,有利于提升绝缘保护层的防护性能,第一反射层和第二反射层的兼顾提高电极结构光萃取效率。
该材料的第一反射层和/或第二反射层均具有不小于150Gpa的杨氏模量和不小于200Gpa的体积模量,例如第一反射层和/或第二反射层的材料包括铑、铂或者钌,两层反射层从接垫层上下两侧贴附,电极结构具有较强的应力特性,可增大电极结构的坡角;通常芯片制程中采用黄光工艺制作电极,本发明利用结构材料的应力特性在镀完膜层,第一电极和/或第二电极的截面为梯形,梯形侧壁与水平面的夹角为60°至75°,或者为75°至80°,或者80°以上,现有的电极设计为了防止变大侧壁夹角降低包覆性,导致金属更容易析出,通常设计为45°至60°,较大的镀附角度利于提升电极的截面积在竖直方向上的均匀性,提高电极的截面积,借此降低电流密度,降低金属扩散能力、增加结构散热、降低热效应以及降低驱动电压,借此提高产品特性和寿命,或者可结合调整电极厚度节省成本。
根据本发明,优选的,第一反射层优选采用莫氏硬度为6.5的金属钌,提升电极结构的抗压伤。基于抗压伤的问题,也可以选用莫氏硬度为6的铑。如果考虑仅镀附角度问题,则还可选择铂作为第一反射层材料。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门三安光电有限公司,未经厦门三安光电有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911122389.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。