[发明专利]自旋阀和包含所述自旋阀的自旋电子器件在审

专利信息
申请号: 201911124046.3 申请日: 2019-11-14
公开(公告)号: CN110828657A 公开(公告)日: 2020-02-21
发明(设计)人: 王开友;胡策 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所
主分类号: H01L43/08 分类号: H01L43/08
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 纪雯
地址: 100083 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 自旋 包含 电子器件
【权利要求书】:

1.一种自旋阀,包括依次堆叠的两个或多个磁性层,

其中,所述两个或多个磁性层中的任意两个相邻磁性层具有不同的矫顽力,且所述任意两个相邻磁性层中的至少一个磁性层是范德瓦尔斯磁性层,

其中,所述范德瓦尔斯磁性层是指由范德瓦尔斯磁性材料形成的磁性层。

2.根据权利要求1所述的自旋阀,其中,每个范德瓦尔斯磁性层由相同的范德瓦尔斯磁性材料形成。

3.根据权利要求1所述的自旋阀,其中,所述两个或多个磁性层中的至少一个范德瓦尔斯磁性层具有不同于所述两个或多个磁性层中的另一范德瓦尔斯磁性层的范德瓦尔斯材料。

4.根据权利要求1所述的自旋阀,其中,所述范德瓦尔斯磁性层由以下项中的至少一个形成:范德瓦尔斯磁性金属、范德瓦尔斯磁性半金属、范德瓦尔斯磁性半导体、范德瓦尔斯磁性超导体、范德瓦尔斯磁性绝缘体、范德瓦尔斯铁磁材料、范德瓦尔斯反铁磁材料、范德瓦尔斯面内磁各向异性材料、范德瓦尔斯面外磁各向异性材料、有机范德瓦尔斯磁性材料和无机范德瓦尔斯磁性材料。

5.根据权利要求1所述的自旋阀,其中,所述两个或多个磁性层中的非范德瓦尔斯磁性层由相同或不同的化学键键合的磁性材料形成。

6.根据权利要求1所述的自旋阀,其中,所述两个或多个磁性层中的非范德瓦尔斯磁性层由以下项中的至少一个形成:磁性金属、磁性半金属、磁性半导体、磁性超导体、磁性绝缘体、铁磁材料、反铁磁材料、面内磁各向异性材料、面外磁各向异性材料、有机磁性材料和无机磁性材料。

7.根据权利要求1所述的自旋阀,其中,所述两个或多个磁性层中的至少一个磁性层具有固定磁化方向,且其他磁性层具有自由磁化方向。

8.根据权利要求7所述的自旋阀,还包括钉扎层,设置在所述至少一个磁性层的上方和/或下方,并配置为固定所述至少一个磁性层的磁化方向。

9.一种自旋电子器件,包括权利要求1至8中的任一项所述的自旋阀。

10.根据权利要求9所述的自旋电子器件,其中,所述自旋电子器件是磁存储器、自旋晶体管、自旋二极管、自旋逻辑器件、自旋振荡器、磁敏传感器或温度传感器。

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