[发明专利]一种等间距芯片阵列巨量转移的对位装置及方法有效
| 申请号： | 201911124506.2 | 申请日： | 2019-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN111128799B | 公开（公告）日： | 2023-04-11 |
| 发明（设计）人： | 杨志军;苏丽云;陈新;黄瑞锐;白有盾 | 申请（专利权）人： | 广东工业大学 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/68;H01L27/15;H01L33/48 |
| 代理公司： | 广东广信君达律师事务所 44329 | 代理人： | 杨晓松 |
| 地址： | 510062 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 间距 芯片 阵列 巨量 转移 对位 装置 方法 | ||
本发明涉及一种等间距芯片阵列巨量转移的对位装置及方法，所述等间距芯片阵列巨量转移的对位装置包括：框架(1)、焊盘升降对位机构(2)、薄膜拉伸对位机构(3)和横向移动顶针机构(4)；焊盘升降对位机构(2)通过水平横向移动和竖直移动调整焊盘的位置，薄膜拉伸对位机构(3)加紧拉伸薄膜并调整水平方向上的位置以对准焊盘；横向移动顶针机构(4)横向移动并通过刚柔耦合平台压紧薄膜。本发明专利从提升微小芯片阵列巨量转移的良率和效率出发，发明了一种等间距芯片阵列巨量转移的装置，实现芯片批量式转移，且转移良率高。
技术领域
本发明涉及芯片制造的技术领域，更具体地，涉及一种等间距芯片阵列巨量转移的对位装置及方法。
背景技术
LED显示具有明显优势，例如Micro LED耗电量仅为LCD的10％、OLED的50％。另外，与同样属于自发光显示器的OLED相较，在同样的电力下，亮度比OLED荧幕高出三倍，具有较佳的材料稳定性与无影像残留，且功耗更低。Micro LED、Mini LED一样，都是基于微小的LED晶体颗粒作为像素发光点，区别在于，Micro LED是采用的1-10微米的LED晶体，实现0.05毫米或更小尺寸像素颗粒的显示屏；Mini LED则是采用数十微米级的LED晶体，实现0.5-1.2毫米像素颗粒的显示屏。
随着LED像素化逐步发展带来的难度升级，面临芯片，封装，驱动IC等诸多难题。巨量转移是像素化带来的另一难点，尤其是Mini/Micro LED技术，芯片尺寸极小且数量庞大，将LED芯片批量式转移至电路基板(TFT基板或CMOS基板)需要耗费较多时间且良率不易控制，成为商用化的一大拦路虎。而目前巨量转移技术的难点在于如何提升转移良率，且每颗芯片的转移精准度控制在正负0.5微米以内，同时要求提高生产效率。
发明内容
本发明为克服上述现有技术中转移良率低、每颗芯片的转移精准度低以及生产效率低等至少一个缺陷，本发明专利从提升微小芯片阵列巨量转移的良率和效率出发，发明了一种等间距芯片阵列巨量转移的装置，实现芯片批量式转移，且转移良率高。本发明采用的具体技术方案如下。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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