[发明专利]微型LED显示器件及其制备方法有效
申请号: | 201911125161.2 | 申请日: | 2019-11-15 |
公开(公告)号: | CN110808262B | 公开(公告)日: | 2022-06-24 |
发明(设计)人: | 王慧娟;张培林;吕振华;尤杨 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/50;G09F9/33 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 陈平 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 微型 led 显示 器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种制备显示器件的方法,所述方法包括:
在基底上提供可发出背光的微型LED的背光阵列,所述微型LED的背光阵列包括所述微型LED的第一子阵列和所述微型LED的第二子阵列;以及
在所述微型LED的背光阵列上提供色转换层,其中所述色转换层包括:
第一色转换单元的阵列,所述第一色转换单元包含在所述背光照射下发出第一色光的第一光致发光色转换材料,所述第一色转换单元的阵列在所述基底上的正投影与所述微型LED的第一子阵列在所述基底上的正投影重叠并且与所述微型LED的第二子阵列在所述基底上的正投影不重叠;和
第二色转换单元的阵列,所述第二色转换单元包含在所述背光照射下发出第二色光的第二光致发光色转换材料,其中所述第二色光与所述第一色光不同,所述第二色转换单元的阵列在所述基底上的正投影与所述微型LED的第二子阵列在所述基底上的正投影重叠,并且与所述微型LED的第一子阵列和所述第一色转换单元的阵列在所述基底上的正投影不重叠,
其中,所述提供色转换层包括:
通过压印,用母版在可溶性版上形成凹槽的阵列,所述凹槽的阵列包括凹槽的第一子阵列和凹槽的第二子阵列;
在所述凹槽的第一子阵列中填充所述第一光致发光色转换材料,并且在所述凹槽的第二子阵列中填充所述第二光致发光色转换材料;
将填充有所述第一光致发光色转换材料和所述第二所述光致发光色转换材料的所述可溶性版结合到所述微型LED的背光阵列上,使得所述在所述凹槽的第一子阵列中的第一光致发光色转换材料在所述基底上的正投影与所述微型LED的第一子阵列在所述基底上的正投影重叠并且与所述微型LED的第二子阵列在所述基底上的正投影不重叠,并且使得在所述凹槽的第二子阵列中的所述第二光致发光色转换材料在所述基底上的正投影与所述微型LED的第二子阵列在所述基底上的正投影重叠,并且与所述微型LED的第一子阵列在所述基底上的正投影不重叠;以及
溶解所述可溶性版,在所述微型LED的背光阵列上留下所述第一光致发光色转换材料以形成所述第一色转换单元的阵列,并且留下所述第二光致发光色转换材料以形成所述第二色转换单元的阵列。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述可溶性版是聚乙烯醇版。
3.根据权利要求1所述的方法,其中,所述在基底上提供可发出背光的微型LED的背光阵列包括:
在单片晶圆上生长微型LED的阵列;以及
将所述微型LED的阵列从所述单片晶圆转移到所述基底上,形成所述微型LED的背光阵列。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911125161.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种无水氢氧化锂的离心喷雾干燥制备方法
- 下一篇:一种浮式稳桩平台
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的