[发明专利]ESD保护的栅极接地MOS结构

权利要求书

1.一种ESD保护的栅极接地MOS结构，其特征在于，包括第一导电类型阱区和第二导电类型阱区，所述第二导电类型阱区环绕在所述第一导电类型阱区外侧；

所述第一导电类型阱区中形成第二导电类型扩散区，和环绕所述第二导电类型扩散区的第一导电类型阱环区；

所述第二导电类型扩散区中形成多个第二导电类型注入区，多个所述第二导电类型注入区间隔排布，相邻两个所述第二导电类型注入区的间隔上形成栅极，所述栅极接地；

所述第二导电类型阱区中设有第二导电类型注入区；

所述第一导电类型阱环区中形成第一导电类型注入区，所述第一导电类型注入区上覆盖有第一接触结构，第一电阻的一端连接所述第一接触结构，所述第一电阻的另一端接地。

2.如权利要求1所述的ESD保护的栅极接地MOS结构，其特征在于，所述第一电阻的阻值范围为1千欧姆～2千欧姆。

3.如权利要求1所述的ESD保护的栅极接地MOS结构，其特征在于，形成器件漏极的所述第二导电类型注入区上覆盖有第二接触结构，和环绕所述第二接触结构的阻挡层。

4.如权利要求3所述的ESD保护的栅极接地MOS结构，其特征在于，所述阻挡层的外侧边缘与所述第二接触结构之间的距离范围为1微米～2微米。

5.如权利要求3所述的ESD保护的栅极接地MOS结构，其特征在于，所述第二接触结构用于连接电源端VDD或输入输出端IO。

6.如权利要求3所述的ESD保护的栅极接地MOS结构，其特征在于，形成器件源极的所述第二导电类型注入区上覆盖有第三接触结构，所述第三接触结构接地。

7.如权利要求6所述的ESD保护的栅极接地MOS结构，其特征在于，所述第二导电类型注入区能够形成器件的源极或漏极，且形成漏极的第二导电类型注入区与形成源极的第二导电类型注入区依次交替排布。

8.如权利要求1所述的ESD保护的栅极接地MOS结构，其特征在于，第二电阻的一端连接所述栅极，所述第二电阻的另一端接地。

9.如权利要求1～8中任意一项权利要求所述的ESD保护的栅极接地MOS结构，其特征在于，第一导电类型为P型，第二导电类型为N型；或者第一导电类型为N型，第二导电类型为P型。