[发明专利]一种单晶高温合金基体上外延生长MCrAlY单晶涂层的制备方法

权利要求书

1.一种单晶高温合金基体上外延生长单晶MCrAlY涂层的制备方法，其特征在于，所述方法将干燥后的MCrAlY粉末压成薄片，放置在经清洗打磨的单晶高温合金基体表面，采用电子束熔覆在基体上形成涂层。

2.根据权利要求1所述的一种单晶高温合金基体上外延生长单晶MCrAlY涂层的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

（1）将单晶高温合金基体采用砂纸打磨试样表面，去除表面层应力和氧化物；采用丙酮超声清洗，用电热吹风机吹干备用；

（2）将MCrAlY粉末在干燥箱中干燥，采用压片机压成一定厚度的薄片后放置于高温合金基体表面；

（3）采用电子束熔覆设备将粉末薄片熔覆在基体上形成涂层，待冷却后取出。

3.按照权利要求2所述的一种单晶高温合金基体上外延生长单晶MCrAlY的制备方法，其特征在于，所述打磨试样采用100-1000目的砂纸。

4.按照权利要求2所述的一种单晶高温合金基体上外延生长单晶MCrAlY的制备方法，其特征在于，所述MCrAlY粉末中M为Ni、Co或NiCo；粉末的粒度为45-200μm。

5.按照权利要求2所述的一种单晶高温合金基体上外延生长单晶MCrAlY的制备方法，其特征在于，所述薄片的厚度为0.1-5mm，使用前在真空干燥箱100℃-150℃中进行烘干处理。

6.按照权利要求2所述的一种单晶高温合金基体上外延生长单晶MCrAlY的制备方法，其特征在于，所述电子束熔覆电压为10-70kV，熔覆速率为10-100mm2/s，熔覆电流为10-100mA；所述电子束熔覆设备的真空度为2×10^-1~2×10^-2Pa。

7.按照权利要求4所述的一种单晶高温合金基体上外延生长单晶MCrAlY的制备方法，其特征在于，所述MCrAlY粉末中加入微量Ta，W元素。