[发明专利]硅基微显示屏及其制备方法

说明书

本发明提供了一种硅基微显示屏及其制备方法，所述制备方法包括以下步骤：提供硅基板，在硅基板上定义若干子像素区域，并在所述硅基板上各个子像素区域分别依次制备阳极层、OLED层、阴极层及第一保护层；刻蚀第一子像素区域的阴极层及保护层；等离子体轰击并去除暴露的OLED层；在阴极层、保护层及OLED层的侧面形成第二保护层；依次形成其他子像素；基于以上步骤的结果来加工形成硅基微显示屏。本发明将刻蚀及镀膜工艺置于真空环境下进行，防止OLED层被水汽和氧气入侵，延长硅基微显示屏的使用寿命。

技术领域

本发明涉及OLED显示器制造领域，尤其涉及一种硅基微显示屏及其制备方法。

背景技术

OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)显示器与CTR(CathodeRay Tube，阴极射线管)显示器、TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid CrystalDisplay，薄膜晶体管液晶显示器)相比具有更轻和更薄的外观设计、更宽的可视视角、更快的响应速度以及更低的功耗等特点，因此OLED显示器已逐渐作为下一代显示设备而备受人们的关注。

目前的OLED显示屏体大多采用蒸镀不同OLED材料实现OLED图形化，这种方法在像素密度低于700ppi时是没有问题的。但是当像素密度大于800ppi时，现有的制造技术将进入物理瓶颈，存在高像素密度图形化困难的问题。

另外，OLED采用的有机材料对水氧特别敏感，非常容易与渗透进来的水汽发生反应，影响电荷的注入，渗透进来的水汽和氧气还会与有机材料发生化学反应，这些反应是引起OLED器件性能下降、OLED器件寿命缩短的主要因素。因此OLED器件需要严格的封装材料来保护它们免受水和氧气的侵蚀。

因此，有必要提供一种新的硅基微显示屏及其制备方法，以解决上述问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种硅基微显示屏制备方法，该硅基微显示屏制备方法将刻蚀及镀膜工艺置于真空环境中进行，防止OLED层被水汽和氧气入侵，延长了硅基微显示屏的使用寿命。

为实现上述目的，本发明提供了一种硅基微显示屏制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1：提供一硅基板，在硅基板上定义若干子像素区域，并在所述硅基板上各个子像素区域制备阳极层；

S2：在所述子像素区域分别依次蒸镀OLED层、阴极层及第一保护层，以覆盖所述阳极层及硅基板；

S3：采用黄光工艺及刻蚀工艺刻蚀第一子像素区域的阴极层及保护层；

S4：等离子体轰击并去除暴露的OLED层；

S5：在刻蚀后的阴极层、保护层及OLED层的侧面形成第二保护层，完成第一子像素的制作；

S6：依次对其他子像素区域执行上述步骤S3至S5，直至形成各子像素；

S7：基于以上步骤的结果来加工形成硅基微显示屏。

作为本发明进一步改进的技术方案，所述步骤S1具体包括如下步骤：

S11：提供一硅基板，在硅基板上定义若干子像素区域，在所述子像素区域制备若干规则排列的过孔；

S12：采用自对准工艺，在所述硅基板上蒸镀阳极层，所述阳极层包括与所述过孔一一对应的阳极单元，所述阳极单元的宽度为5微米。

作为本发明进一步改进的技术方案，所述步骤S3中的刻蚀工艺、步骤S4及步骤S5在真空环境下进行，所述刻蚀工艺为反应离子刻蚀工艺，所述黄光工艺的工艺温度低于90℃，所述等离子体为氩离子。

作为本发明进一步改进的技术方案，所述步骤S5具体包括如下步骤：