[发明专利]全频段太赫兹四倍频模块

权利要求书

1.一种全频段太赫兹四倍频模块，其特征在于，包括金属上基座(1)、金属下基座(2)、第一匹配波导(3)、芯片通道(4)、第二匹配波导(5)和太赫兹全频段倍频芯片(7)；

所述金属上基座(1)和金属下基座(2)形成腔体，所述第一匹配波导(3)设置在所述腔体内的输入端，所述第二匹配波导(5)设置在所述腔体内的输出端；所述芯片通道(4)设置在所述腔体的输入端和输出端之间，所述芯片通道(4)内设置太赫兹全频段倍频芯片(7)；所述太赫兹全频段倍频芯(7)安装在金属上基座(1)上，所述太赫兹全频段倍频芯片(7)分别与第一匹配波导(3)和第二匹配波导(5)连接；

所述太赫兹全频段倍频芯片(7)包括芯片本体(71)和分别设置于芯片本体(71)上的太赫兹肖特基串联管对(72)、输入端波导微带耦合单元(73)、输出端波导微带耦合单元(74)、高低阻低通滤波器(75)、直流偏置线(76)和梁式引线(77)；

太赫兹肖特基串联管对(72)内形成直流和射频回路，太赫兹肖特基串联管对(72)的第一端连接输出端波导微带耦合单元(74)，太赫兹肖特基串联管对(72)的第二端连接高低阻低通滤波器(75)，太赫兹肖特基串联管对(72)的第三端连接直流偏置线(76)，太赫兹肖特基串联管对(72)的第四端连接接地梁式引线(77)，高低阻低通滤波器(75)通过输入端波导微带耦合单元(73)连接第一匹配波导(3)，输出端波导微带耦合单元(74)连接第二匹配波导(5)。

2.根据权利要求1所述的全频段太赫兹四倍频模块，其特征在于，还包括直流馈线(10)和SMA接头(11)，所述直流馈线(10)连接在所述太赫兹全频段倍频芯片(7)和SMA接头之间，所述SMA接头(11)用于引入外接电源。

3.根据权利要求1所述的全频段太赫兹四倍频模块，其特征在于，所述太赫兹肖特基串联管对(72)的拓扑结构为串联结构。

4.根据权利要求1所述的全频段太赫兹四倍频模块，其特征在于，所述太赫兹全频段倍频芯片(7)包括砷化镓薄膜或石英基底。

5.根据权利要求1所述的全频段太赫兹四倍频模块，其特征在于，所述太赫兹全频段倍频芯片(7)的厚度介于2um～50um。

6.根据权利要求1所述的全频段太赫兹四倍频模块，其特征在于，所述金属上基座(1)和金属下基座(2)的两侧分别设置连接标准法兰盘(8)接口。

7.根据权利要求1所述的全频段太赫兹四倍频模块，其特征在于，所述金属上基座(1)和金属下基座(2)通过定位销(9)连接。