[发明专利]LED芯片及其制备方法

说明书

本发明涉及一种LED芯片及其制备方法，LED芯片上形成有由依次贯穿n型材料层、多量子阱层和p型材料层的纳米柱组成的第一纳米柱区域和第二纳米柱区域。这种LED芯片上形成有第一纳米柱区域和第二纳米柱区域，结合实验数据，纳米柱的直径变化可以改变纳米柱内的多量子阱层的发光波长，通过第一纳米柱区域内的纳米柱的直径大于第二纳米柱区域内的纳米柱的直径，从而可以使得第一纳米柱区域和第二纳米柱区域分别发出波长不同的光，从而使得这种LED芯片可以实现多彩显示。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种LED芯片及其制备方法。

背景技术

micro-LED是一种可以用于屏幕显示的LED器件，其通过单个LED芯片发光实现照明和显示。

然而，由于LED器件出单色光的特性，要想实现多彩显示，需要多个发不同颜色的LED芯片配合实现。

也就是说，单个LED芯片无法实现多彩显示。

发明内容

基于此，有必要提供一种LED芯片，其可以发出两种或两种以上的光，从而可以实现多彩显示。

一种LED芯片，包括依次层叠的基层、第一金属层、p型材料层、多量子阱层、n型材料层以及第二金属层；

所述LED芯片上形成有由依次贯穿所述n型材料层、所述多量子阱层和所述p型材料层的纳米柱组成的第一纳米柱区域和第二纳米柱区域，所述第一纳米柱区域内的纳米柱的直径大于所述第二纳米柱区域内的纳米柱的直径。

一种LED芯片的制备方法，用于制备上述的LED芯片，所述LED芯片的制备方法包括如下步骤：

提供LED晶元，其中，所述LED晶元包括依次层叠的p型材料层、多量子阱层、n型材料层和衬底；

在所述p型材料层上形成第一金属层，接着在所述第一金属层上设置基层，从而使得所述基层、第一金属层和所述p型材料层依次层叠；

去除所述衬底，接着对所述n型材料层进行第一次平整化处理；

在所述n型材料层上形成具有所需的图案的掩膜层，接着刻蚀形成第一纳米柱区域和第二纳米柱区域，其中，所述第一纳米柱区域和所述第二纳米柱区域均由依次贯穿所述n型材料层、所述多量子阱层和所述p型材料层的纳米柱组成，所述第一纳米柱区域内的纳米柱的直径大于所述第二纳米柱区域内的纳米柱的直径；以及

对所述n型材料层进行第二次平整化处理后，得到半成品，在所述n型材料层上形成第二电极层，从而得到所述LED芯片。

这种LED芯片上形成有第一纳米柱区域和第二纳米柱区域，结合实验数据，纳米柱的直径变化可以改变纳米柱内的多量子阱层的发光波长，通过第一纳米柱区域内的纳米柱的直径大于第二纳米柱区域内的纳米柱的直径，从而可以使得第一纳米柱区域和第二纳米柱区域分别发出波长不同的光，从而使得单个的这种LED芯片可以实现多彩显示。

此外，与传统的采用多个发出不同颜色光的LED相比，这种LED芯片通过第一纳米柱区域和第二纳米柱区域可以同时发出至少两种以上的光，这就使得采用了这种LED芯片的器件的显示分辨率和显色指数CRI(可达100)明显优于传统的器件。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

其中：

图1为一实施方式的LED芯片的剖面结构示意图。

图2为如图1所示的LED芯片的制备工艺图。