[发明专利]等离子体射流对绝缘子进行表面改性处理方法及用途

权利要求书

1.等离子体射流对绝缘子进行表面改性处理方法，其特征在于，将正硅酸四乙酯TEOS混合气体在等离子体射流管中电离出等离子体，喷射至直流盆式绝缘子表面，形成500nm-2μm的表面沉积，得到不同表面电导率的高压直流盆式绝缘子，包括如下步骤：

1)使用石英玻璃管作为射流管主体，高压电极和地电极采用针环电极结构：使用实心或空心导体棒作为内部高压电极，并在外侧紧密套电极介质阻挡层，使用铜箔贴于射流管外侧末端；

2)采用等离子体电源作为激励源，放电重复频率25-35kHz，输出电压幅值4-7kV，电流100-250mA；

3)将装有前驱体TEOS液体的洗气瓶在60-80℃水浴下加热；

4)将一路150-250sccm氩气通入洗气瓶中，将前驱体TEOS分子带出至射流管中，与另一路5-7slm氩气充分混合后，通入射流管中，电离形成等离子体；

5)采用机械臂夹住射流管，控制射流管垂直于绝缘材料表面喷射等离子体，并平行于绝缘材料表面移动，对改性对象进行等离子体处理。

2.根据权利要求1所述的等离子体射流对绝缘子进行表面改性处理方法，其特征在于，所述导体棒采用铜棒，所述铜棒外套的介质阻挡层采用石英玻璃管。

3.根据权利要求2所述的等离子体射流对绝缘子进行表面改性处理方法，其特征在于，所述铜棒直径3-4mm。

4.根据权利要求2所述的等离子体射流对绝缘子进行表面改性处理方法，其特征在于，所述介质阻挡层与铜棒外径相同，厚度为1-2mm。

5.根据权利要求1所述的等离子体射流对绝缘子进行表面改性处理方法，其特征在于，所述铜箔距离射流管末端1-1.5cm。

6.根据权利要求1所述的等离子体射流对绝缘子进行表面改性处理方法，其特征在于，所述射流管由管体和电极组成，所述管体采用石英玻璃管作为管体材料，所述管体直径为1-2cm，所述管体长度15-25cm。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的等离子体射流对绝缘子进行表面改性处理方法的用途，其特征在于，促进绝缘材料表面电荷消散。