[发明专利]一种具有浅沟槽隔离的SOI结构及制备方法

权利要求书

1.一种具有浅沟槽隔离的SOI结构，其特征在于，包括衬底和位于衬底中的浅沟槽隔离，所述浅沟槽隔离包括位于衬底中的沟槽和填充在沟槽中的绝缘层；

其中，所述沟槽包括M个沟槽子单元，每个沟槽子单元对应一个器件区域，所述沟槽子单元为V型槽，所述器件区域位于V型槽顶部，所述沟槽子单元将器件区域与所述衬底隔离；所述V型槽包括两条隔离槽，所述绝缘层包括采用硅热氧化工艺填充的氧化硅绝缘层，M为大于0的正整数。

2.根据权利要求1所述的一种具有浅沟槽隔离的SOI结构，其特征在于，同一个V型槽中的两条隔离槽的底部不接触。

3.根据权利要求1所述的一种具有浅沟槽隔离的SOI结构，其特征在于，同一个V型槽中的两条隔离槽的底部完全接触或者部分接触。

4.根据权利要求1所述的一种具有浅沟槽隔离的SOI结构，其特征在于，且每条隔离槽中各处的宽度相等。

5.一种制备具有浅沟槽隔离的SOI结构的方法，其特征在于，包括如下步骤：

S01：在衬底上沉积掩膜层；

S02：通过刻蚀工艺在掩膜层上形成开口；

S03：沿着所述开口刻蚀出位于所述衬底中的沟槽，在所述沟槽中填充绝缘层；其中，所述沟槽包括M个沟槽子单元，每个沟槽子单元对应一个器件区域，所述沟槽子单元为V型槽，所述器件区域位于V型槽顶部，所述沟槽子单元将器件区域与所述衬底隔离；所述V型槽包括两条隔离槽；所述衬底为硅衬底，采用硅热氧化工艺在沟槽中形成氧化硅绝缘层；M为大于0的正整数。

6.根据权利要求5所述的一种制备具有浅沟槽隔离的SOI结构的方法，其特征在于，步骤S03具体包括：

S031：沿着所述开口刻蚀出M个沟槽子单元中倾斜方向相同的其中一条隔离槽；

S032：在S031刻蚀出的隔离槽中填充绝缘层；

S033：沿着所述开口刻蚀出M个沟槽子单元中倾斜方向相同的另外一条隔离槽；

S032：在S033刻蚀出的隔离槽中填充绝缘层。

7.根据权利要求5所述的一种制备具有浅沟槽隔离的SOI结构的方法，其特征在于，步骤S03具体包括：

T031：沿着所述开口刻蚀出M个沟槽子单元中倾斜方向相同的其中一条隔离槽；

T032：沿着所述开口刻蚀出M个沟槽子单元中倾斜方向相同的另外一条隔离槽；

T033：在上述刻蚀出的隔离槽中填充绝缘层。

8.根据权利要求6或7所述的一种制备具有浅沟槽隔离的SOI结构的方法，其特征在于，所述M个沟槽子单元中倾斜方向相同的隔离槽相互平行。