[发明专利]具有气体分布及单独泵送的批量固化腔室有效
申请号: | 201911127078.9 | 申请日: | 2015-04-21 |
公开(公告)号: | CN110828346B | 公开(公告)日: | 2023-10-03 |
发明(设计)人: | A·可罕;S·文卡特拉曼;J·D·平森三世;J-G·杨;N·K·英格尔;梁奇伟 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/687;C23C16/56 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 杨学春;侯颖媖 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 气体 分布 单独 批量 固化 | ||
1.一种批量基板处理腔室,包括:
多个固化站,所述多个固化站布置成堆叠,每一个固化站包括加热的基座、设置在所述加热的基座上方的喷头、以及设置在所述喷头和所述加热的基座之间的处理区域;以及
多个基板升举组件,所述多个基板升举组件包括一个或多个升举销索引器,每一个升举销索引器包括轴和连接到所述轴的多个升举销,其中每一个升举销延伸到所述多个固化站中的不同固化站的处理区域中。
2.如权利要求1所述的批量处理腔室,其中
所述堆叠是所述多个固化站的竖直堆叠,
所述升举销索引器的所述轴竖直地延伸穿过固化站的所述堆叠,以及
每一个升举销从所述轴水平地延伸。
3.如权利要求2所述的批量处理腔室,其中
所述多个固化站包括四个或更多个固化站,以及
所述多个基板升举组件包括三个或更多个升举销索引器。
4.如权利要求2所述的批量处理腔室,其中每一个升举销包括圆柱元件,所述圆柱元件形成所述升举销的顶表面。
5.如权利要求1所述的批量处理腔室,其中每一个升举销包括圆柱元件,所述圆柱元件被配置用于支撑基板。
6.如权利要求5所述的批量处理腔室,其中所述圆柱元件由氧化铝(Al2O3)形成。
7.如权利要求5所述的批量处理腔室,其中所述圆柱元件由蓝宝石形成。
8.一种批量基板处理腔室,包括:
多个固化站,所述多个固化站布置成堆叠,每一个固化站包括加热的基座、设置在所述加热的基座上方的喷头、以及设置在所述喷头和所述加热的基座之间的处理区域;以及
一个或多个排气阵列,每一个排气阵列包括多个排气组件,每一个排气组件耦接至不同固化站的所述处理区域,其中每一个排气组件包括流动平衡孔口。
9.如权利要求8所述的批量处理腔室,其中
所述多个排气组件包括第一排气组件和第二排气组件,
所述第一排气组件具有第一尺寸的流动平衡孔口,
所述第二排气组件具有第二尺寸的流动平衡孔口,以及
所述第一尺寸与所述第二尺寸不同。
10.如权利要求8所述的批量处理腔室,其中每一个流动平衡孔口是可调整的。
11.如权利要求8所述的批量处理腔室,其中所述一个或多个排气阵列包括多个排气阵列,所述多个排气阵列在所述多个固化站的所述处理区域附近以对称布置进行定位。
12.如权利要求8所述的批量处理腔室,其中
每一个排气组件包括气室和多个排气入口,以及
每一个排气组件的所述流动平衡孔口连接至用于该排气组件的所述气室的出口。
13.如权利要求12所述的批量处理腔室,其中每一个流动平衡孔口是可调整的。
14.如权利要求8所述的批量处理腔室,其中所述流动平衡孔口包括针阀。
15.如权利要求8所述的批量处理腔室,其中
所述一个或多个排气阵列包括四个排气阵列,以及
每一个排气阵列与其他排气阵列间隔开。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造