[发明专利]一种新型72对棒还原炉高压击穿系统及其方法

权利要求书

1.一种新型72对棒还原炉高压击穿系统，包括硅芯和底盘，所述硅芯共有72对并在底盘上按同心圆布置形成6个分布圆，所述硅芯分为1～6相，每相包括12对硅芯，每相中各硅芯串接并分组设置，其特征在于：

所述系统还包括8个高压击穿柜和至少1个功率控制柜，所述高压击穿柜串接每相硅芯，能够为硅芯加载电压以进行击穿和维持；所述功率控制柜串接6相硅芯，能够在每相硅芯被击穿后以恒定电流加热该相硅芯；

所述第1～3相硅芯中每相的12对硅芯设置为两组，第1组包括8对硅芯，第2组包括4对硅芯，所述第1组的8对硅芯由第1～4个高压击穿柜进行击穿并维持，所述第2组的4对硅芯由第5～8个高压击穿柜进行击穿；

所述第4～6相硅芯中每相的12对硅芯仅设置为一组，并由第1～6个高压击穿柜进行击穿。

2.根据权利要求1所述的一种新型72对棒还原炉高压击穿系统，其特征在于，所述1～6相硅芯中，第1～3相硅芯设置于底盘上的外圈，第4～6相硅芯设置于底盘上的内圈。

3.一种如权利要求1所述的新型72对棒还原炉高压击穿系统的高压击穿方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1.击穿第1相硅芯：先使用第1～4个高压击穿柜击穿此相第1组的8对硅芯，击穿后由第1～4个高压击穿柜维持，再使用第5～8个高压击穿柜击穿此相第2组的4对硅芯，此相12对硅芯全部击穿后由功率控制柜进行控制；

S2.依次击穿第2、3相硅芯：第2、3相硅芯的击穿步骤均与第1相硅芯的击穿步骤S1相同；

S3.击穿第4相硅芯：同时使用第1～6个高压击穿柜击穿此相的12对硅芯，全部击穿后再由功率控制柜进行控制；

S4.依次击穿第5、6相硅芯：第5、6相硅芯的击穿步骤均与第4相硅芯的击穿步骤S3相同。

4.根据权利要求3所述的一种新型72对棒还原炉高压击穿方法，其特征在于，执行步骤S1之前，先设置高压击穿柜的高压击穿状态电流和电压，以及高压维持激活电流和电压，并设置功率控制柜的初始电流、激活还原电流和电压。

5.根据权利要求4所述的一种新型72对棒还原炉高压击穿方法，其特征在于，在步骤S1中，第1～4个高压击穿柜以高压击穿状态电压作为击穿电压来击穿第1相第1组的8对硅芯，若不易击穿，则增加击穿电压并待击穿后再恢复。

6.根据权利要求5所述的一种新型72对棒还原炉高压击穿方法，其特征在于，在步骤S1中，第1相第1组的8对硅芯击穿后，若击穿电流与高压击穿状态电流一致，但击穿电压未至高压维持激活电压时，则增加击穿电流，同时观察击穿电压数值状态。

7.根据权利要求6所述的一种新型72对棒还原炉高压击穿方法，其特征在于，在步骤S1中，若击穿电压与高压维持激活电压一致时，则第1相第1组的8对硅芯进入高压维持状态，第1相第2组的4对硅芯进入高压击穿状态。

8.根据权利要求7所述的一种新型72对棒还原炉高压击穿方法，其特征在于，在步骤S1中，第1相12对硅芯全部击穿后，将击穿电流降至激活还原电流，待击穿电压降至激活还原电压时，再将这12对硅芯交由功率控制柜进行控制。