[发明专利]用于密集堆叠管芯封装的丝线键合焊盘设计

权利要求书

1.一种半导体封装件，其包括：

第一管芯和第二管芯；

第一键合焊盘，其被设置在所述第一管芯的顶部上并且接近所述第一管芯的第一边缘；

第二键合焊盘，其被设置在所述第二管芯的顶部上并且接近所述第二管芯的第二边缘；

导电的第一柱，其被设置在所述第二键合焊盘上；

其中所述第一管芯被安装在所述所述第二管芯的所述顶部上，使得所述第一边缘平行于所述第二边缘并从所述第二边缘偏移，并且其中所述第一边缘从所述第二边缘偏移以使得暴露出所述柱；以及

第一丝线，其键合到所述第一柱的键合表面并且键合到所述第一键合焊盘的键合表面。

2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其还包括：

第三管芯，其具有在其顶表面上并接近其第三边缘的第三键合焊盘，其中所述第二管芯被安装在所述第三管芯的所述顶表面上，使得所述第二边缘平行于所述第三边缘并从所述第三边缘偏移，并且其中所述第二边缘从所述第三边缘偏移以使得暴露出所述第三键合焊盘；以及

第二丝线，其电连接到所述第一柱的所述键合表面以及所述第三键合焊盘的键合表面。

3.根据权利要求2所述的半导体封装件，其还包括形成在所述第三键合焊盘的顶表面上的第二导电柱，其中所述第二丝线借助于所述第二柱的键合表面电连接到所述第三键合焊盘的所述键合表面。

4.根据权利要求2所述的半导体封装件，其还包括：

第四管芯，其具有在其顶表面上并接近其第四边缘的第四键合焊盘，其中所述第三管芯被安装在所述第四管芯的所述顶表面上，使得所述第三边缘平行于所述第四边缘并从所述第四边缘偏移，并且其中所述第三边缘从所述第四边缘偏移以使得暴露出所述第四键合焊盘；

第二导电柱，其形成在所述第四键合焊盘的顶表面上；以及

第三丝线，其电连接到所述第二柱的键合表面以及所述第三键合焊盘的所述键合表面。

5.根据权利要求4所述的半导体封装件，其中所述第一丝线、所述第二丝线和所述第三丝线包括单个键合丝线。

6.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中所述第一柱的所述键合表面与所述第一管芯的所述顶部齐平。

7.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中所述第一柱的所述键合表面与所述第一键合焊盘的所述键合表面齐平。

8.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中所述第一柱在所述第一管芯的所述顶部上方延伸。

9.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中所述第一柱被设置在再分配层(RDL)上，所述再分配层被形成在所述第二键合焊盘上并且从所述第二键合焊盘朝向所述第二边缘延伸。

10.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中所述第一管芯的垂直于所述第一边缘的第三边缘从所述第二管芯的垂直于所述第二边缘的第四边缘偏移，使得所述第一柱与所述第一键合焊盘之间的距离大于所述第一柱与所述第一边缘之间的距离。

11.一种用于电连接堆叠的半导体管芯的方法，其中所述堆叠管芯包括第一管芯和第二管芯，所述第一管芯具有在其顶表面上并且接近其第一边缘的第一键合焊盘，所述第二管芯具有在其顶表面上并且接近其第二边缘的第二键合焊盘，其中所述第二管芯被安装在所述第一管芯的所述顶表面上，使得所述第二边缘平行于所述第一边缘且从所述第一边缘偏移，从而暴露出所述第一键合焊盘，所述方法包括：

在所述第一键合焊盘上形成第一导电柱；以及

将第一丝线键合到所述第一柱的键合表面，并且将所述第一丝线键合到所述第二键合焊盘的键合表面。

12.根据权利要求11所述的方法，其中形成所述第一柱包括在所述第一键合焊盘上镀覆或沉积导电金属。