[发明专利]多层结构

说明书

本发明公开了一种多层结构，包括一衬底以及多个次叠层。次叠层分别沿着第一方向延伸，并沿着第二方向排列于衬底的一上表面上。各个次叠层包括沿着一第三方向交替叠层于上表面上的多个绝缘层以及多个图案化牺牲层、沿着第三方向与绝缘层交替叠层于上表面上的多个导电层、以及沿着第三方向延伸的多个层间连接件。其中，图案化牺牲层具有第一侧及相对于第一侧的第二侧，导电层包括对应于第一侧的多个第一侧导电层以及对应于第二侧的多个第二侧导电层。其中，层间连接件电性连接且直接接触于对应的导电层。第一方向、第二方向及第三方向互相交叉。

技术领域

本发明是有关于一种多层结构及其制作方法，且特别是有关于一种用于半导体装置的多层结构及其制作方法。

背景技术

在一半导体装置之中或者在不同的半导体装置之间，通常需要通过多层结构之中的层间连接件进行元件之间的电性连接。一般而言，多层结构包括交替叠层于衬底上的多个导电层及多个绝缘层，由导电材料所形成的层间连接件则沿着垂直方向延伸，电性连接于特定的导电层。然而，随着多层结构的层数的需求增加，所需耗费的导电材料亦随之增加，工艺亦更于繁复，如此恐使制作成本大为提升。

因此，有需要提出一种先进的多层结构及其制作方法以解决已知技术所面临的问题。

发明内容

本发明系有关于一种多层结构及其制作方法。由于可通过同一导体工艺一并形成多个导电层以及多个层间连接件，本案的工艺方法可降低工艺的复杂程度并减少成本。

根据本发明一方面，提出一种多层结构。多层结构包括一衬底以及多个次叠层。次叠层分别沿着第一方向延伸，并沿着第二方向排列于衬底的一上表面上。各个次叠层包括沿着一第三方向交替叠层于上表面上的多个绝缘层以及多个图案化牺牲层、沿着第三方向与绝缘层交替叠层于上表面上的多个导电层、以及沿着第三方向延伸的多个层间连接件。其中，图案化牺牲层具有第一侧及相对于第一侧的第二侧，导电层包括对应于第一侧的多个第一侧导电层以及对应于第二侧的多个第二侧导电层。其中，层间连接件电性连接且直接接触于对应的导电层。第一方向、第二方向及第三方向互相交叉。

根据本发明一方面，提出一种多层结构的制作方法。方法包括下列步骤。首先，提供一衬底，衬底具有一上表面。接着，在衬底的上表面上形成一叠层本体，其中叠层本体包括交替叠层于上表面上的多个绝缘层及多个牺牲层。然后，形成多个垂直开口，垂直开口穿过部分的绝缘层及牺牲层。形成多个沟道，沟道穿过叠层本体并暴露绝缘层中的最下层绝缘层。移除部分的牺牲层，并在牺牲层被移除的位置形成多个侧向开口，其中剩余的牺牲层形成多个图案化牺牲层。此后，填充一导电材料于垂直开口以及侧向开口中，以在垂直开口中形成多个层间连接件，并在侧向开口中形成多个导电层，其中层间连接件、导电层、图案化牺牲层及绝缘层构成多个次叠层，其中次叠层分别沿着一第一方向延伸，并沿着一第二方向排列于衬底的该上表面上，且层间连接件是沿着一第三方向延伸，其中第一方向、第二方向及第三方向互相交叉。其中，图案化牺牲层具有多个第一侧及相对于第一侧的多个第二侧，导电层包括对应于第一侧的多个第一侧导电层以及对应于第二侧的多个第二侧导电层。其中，层间连接件电性连接且直接接触于对应的导电层。

为了对本发明的上述及其他方面有更佳的了解，下文特举实施例，并配合所附附图详细说明如下：

附图说明

图1A绘示依照本发明一实施例的多层结构的制作方法的俯视图。

图1B绘示沿着图1A的1B-1B＇连线的剖面图。

图2A绘示接续于图1A的多层结构的制作方法的俯视图。

图2B绘示沿着图2A的2B-2B＇连线的剖面图。

图3绘示接续于图2B的多层结构的制作方法的剖面图。

图4绘示接续于图3的多层结构的制作方法的剖面图。

图5绘示接续于图4的多层结构的制作方法的剖面图。