[发明专利]一种碳布负载CoTe/CoO/Co纳米片阵列电极材料及其应用在审
| 申请号： | 201911128146.3 | 申请日： | 2019-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN110797211A | 公开（公告）日： | 2020-02-14 |
| 发明（设计）人： | 唐一文;陈明月;吕刚 | 申请（专利权）人： | 华中师范大学 |
| 主分类号： | H01G11/24 | 分类号： | H01G11/24;H01G11/32;H01G11/36;H01G11/46;H01G11/86 |
| 代理公司： | 42001 武汉宇晨专利事务所 | 代理人： | 董路 |
| 地址： | 430079 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 碳布 电沉积 制备 清洗 黑色液体 取出 形貌 电化学储能 电化学性能 纳米片阵列 电极材料 工作电极 去离子水 水热反应 阵列纳米 赝电容器 钴盐溶液 电解液 纳米片 水热法 水热釜 盐溶液 电极 浸没 基底 可用 沉积 冷却 配制 能耗 转入 应用 保证 | ||
1.一种碳布负载CoTe/CoO/Co纳米片阵列电极材料，其特征在于由以下方法制备而成：
1.1、将碳布清洗干净，配制Co盐溶液；
1.2、碳布作为电沉积基底和工作电极，Co盐溶液为电解液，采用电沉积的方法将Co(OH)2纳米片阵列沉积在碳布上，电沉积完成后，取出碳布清洗干净并干燥；
1.3、将Te粉、NaBH4与去离子水混合，Te粉与NaBH4的质量比为1-2.1 : 2-4，搅拌至黑色溶液，将黑色溶液转移至水热釜中，把碳布浸没于黑色溶液后，密闭水热釜，加热进行水热反应，完成后冷却至室温，取出碳布清洗干净并干燥，得到所述的碳布负载CoTe/CoO/Co纳米片阵列电极材料。
2.根据权利要求1所述的碳布负载CoTe/CoO/Co纳米片阵列电极材料，其特征在于：所述的Co 盐为硝酸钴、氯化钴或硫酸钴。
3.根据权利要求1所述的碳布负载CoTe/CoO/Co纳米片阵列电极材料，其特征在于：步骤1.2中进行电沉积时，以Ag/AgCl为参比电极，Pt丝为对电极，电压窗口为-1.2 V至-0.8V，20 mV s-1的扫描速率下循环30段。
4.根据权利要求1所述的碳布负载CoTe/CoO/Co纳米片阵列电极材料，其特征在于：所述水热反应的温度为120-180 ℃，反应时间为6-72 h。
5.根据权利要求1所述的碳布负载CoTe/CoO/Co纳米片阵列电极材料，其特征在于：步骤1.1中，清洗碳布时，先用乙醇清洗，再用去离子水清洗。
6.根据权利要求1所述的碳布负载CoTe/CoO/Co纳米片阵列电极材料，其特征在于：步骤1.2和1.3中，清洗碳布时，先用去离子水清洗，再用乙醇清洗。
7.一种权利要求1所述的碳布负载CoTe/CoO/Co纳米片阵列电极材料在电化学储能中的应用。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华中师范大学，未经华中师范大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911128146.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
