[发明专利]形成环绕式栅极场效晶体管的方法

权利要求书

1.一种形成一环绕式栅极场效晶体管的方法，其特征在于，包含：

在一基板之上形成一底部支撑层；

在该底部支撑层之上沉积一第一组纳米碳管；

在该第一组纳米碳管及该底部支撑层之上形成一第一支撑层，以使得该第一组纳米碳管嵌入该第一支撑层中；

在该第一支撑层之上沉积一第二组纳米碳管；

在该第二组纳米碳管及该第一支撑层之上形成一第二支撑层，以使得该第二组纳米碳管嵌入该第二支撑层中；

通过图案化至少该第一支撑层及该第二支撑层而形成一鳍片结构；

在该鳍片结构之上形成一牺牲栅极结构；

在该牺牲栅极结构及该鳍片结构之上形成一介电层；

移除该牺牲栅极结构以使得暴露该鳍片结构的一部分；

通过自该鳍片结构的该已暴露部分选择性地蚀刻该第一支撑层及该第二支撑层释放该鳍片结构中的纳米碳管的通道区域；

形成围绕所述纳米碳管的所述通道区域的一栅极结构；

释放所述纳米碳管的源极/漏极延伸区域，所述源极/漏极延伸区域自所述纳米碳管的所述通道区域向外延伸；

形成环绕所述源极/漏极延伸区域的一内部间隔物结构，该内部间隔物结构包括接触所述源极/漏极延伸区域的一第一介电层，及在该第一介电层之上的一第二介电层，该第一介电层及该第二介电层形成一界面偶极子；以及

形成与所述源极/漏极延伸区域及该内部间隔物结构相邻的一源极/漏极结构。