[发明专利]一种芯片内嵌的flash存储器、芯片以及芯片的启动方法在审

专利信息
申请号: 201911130425.3 申请日: 2019-11-18
公开(公告)号: CN110928499A 公开(公告)日: 2020-03-27
发明(设计)人: 洪灏;刘浩;张静;李应浪;郑思;唐振中 申请(专利权)人: 珠海泰芯半导体有限公司
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06;G06F8/654;G06F21/79
代理公司: 广东朗乾律师事务所 44291 代理人: 闫有幸
地址: 519000 广东省珠海市高新区*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 芯片 flash 存储器 以及 启动 方法
【权利要求书】:

1.一种芯片内嵌的flash存储器,其特征在于,所述flash存储器划分有主存储空间以及副存储空间;所述主存储空间具有用于存储程序代码的程序代码存储区,所述程序代码存储区为可写存储区,其内存储的程序代码外部设备不可读取、芯片的CPU可读取;所述副存储空间划分有校准参数存储区、固有参数存储区、芯片配置存储区、启动代码存储区;所述校准参数存储区用于存储芯片的校准参数,为一次性可编程且不可读的存储区,其内存储的内容外部设备以及芯片的CPU均不可读取;所述固有参数存储区用于存储芯片的固有参数,为一次性可编程且可读存储区;所述芯片配置存储区用于储存芯片的配置方案,为可写存储区;所述启动代码存储区用于存储芯片的Bootloader启动代码,为可写存储区。

2.根据权利要求1所述的flash存储器,其特征在于,所述主存储空间还划分有启动代码备份区,用于备份启动代码,为可写存储区。

3.根据权利要求1所述的flash存储器,其特征在于,所述主存储空间还划分有副空间升级数据存储区,用于存储副存储空间待升级的数据,所述副空间升级数据存储区为可写存储区。

4.根据权利要求1所述的flash存储器,其特征在于,所述副存储空间还划分有用户参数存储区,用于存储芯片开发者对芯片定义的参数,为可读写存储区。

5.根据权利要求1所述的flash存储器,其特征在于,所述副存储空间还划分有方案参数存储区,所述方案参数存储区为一次可编程存储区,用于存储芯片开发方案的方案参数,为执行程序代码过程中需要调用的参数。

6.根据权利要求1~5任意一项所述的flash存储器,其特征在于,所述主存储空间还划分有不可读RAM存储区,用于存储芯片的程序代码在执行中生成的一些需要保护的参数,其内存储的内容外部设备不可读取、芯片的CPU可读取。

7.根据权利要求6所述的flash存储器,其特征在于,所述主存储空间还划分有可读RAM存储区,用于存储芯片的程序代码在执行中生成的一些变化的参数。

8.根据权利要求7所述的flash存储器,其特征在于,所述flash存储器的主存储空间与副存储空间的划分、两个存储空间的各个存储区的划分是通过与门和/或非门及其周边电路搭建而形成的。

9.一种芯片,包括flash启动状态机,其特征在于,还包括校验控制器模块、校验模块、flash存储器保护开关、校验信息配置模块、配置方案配置模块、以及权利要求1~8任意一项所述的flash存储器;

所述flash启动状态机用于控制flash存储器的工作流程,与所述校验控制器模块双向连接;

所述校验控制器模块包括参数校验控制器、启动代码校验控制器、程序代码校验控制器;所述参数校验控制器用于发送校准参数的校验指令、固有参数的校验指令及配置方案的校验指令,每次发送一个指令;启动代码校验控制器用于发送启动代码校验指令;程序代码校验控制器用于发送程序代码校验指令;

所述校验模块与校验控制器模块的所述校验控制器模块双向连接;所述校验模块与flash存储器通信连接,所述校验模块根据所述校验指令,从flash存储器读取相应的数据进行校验;

所述flash存储器保护开关设置在flash存储器的数据通信端口与读取flash存储器内信息的信息读取模块之间,所述flash存储器保护开关具有控制端口,其控制端口连接所述校验控制器模块的一个输出端;

所述参数校验控制器的输出端分别连接校验信息配置模块、配置方案配置模块的输入端;所述校验信息配置模块的输出端连接芯片待配置校验信息的部件;所述;配置方案配置模块的输出端连接芯片待配置所述配置方案的部件。

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