[发明专利]一种基于poket结构的TFET器件

权利要求书

1.一种基于poket结构的TFET器件，其特征在于包括衬底、晶化层、结构相同的两个栅极、源极、漏极、结构相同的两个栅介质层、硅基沟道和口袋，所述的衬底、所述的晶化层、两个所述的栅极、所述的源极、所述的漏极、两个所述的栅介质层、所述的硅基沟道和所述的口袋分别为长方体结构；

所述的晶化层固定设置在所述的衬底上，所述的晶化层的下端面与所述的衬底的上端面贴合，所述的晶化层的前端面与所述的衬底的前端面位于同一平面，所述的晶化层的后端面与所述的衬底的后端面位于同一平面，所述的晶化层的左端面与所述的衬底的左端面位于同一平面，所述的晶化层的右端面与所述的衬底的右端面位于同一平面；

所述的源极、所述的口袋、所述的硅基沟道和所述的漏极按照从左到右的顺序排布在所述的晶化层上，所述的源极的下端面、所述的口袋的下端面、所述的硅基沟道的下端面和所述的漏极的下端面分别与所述的晶化层的上端面贴合固定连接，所述的源极的左端面与所述的晶化层的左端面位于同一平面，所述的源极的右端面与所述的口袋的左端面贴合固定连接，所述的口袋的右端面与所述的硅基沟道的左端面贴合固定连接，所述的硅基沟道的右端面与所述的漏极的左端面贴合固定连接，所述的漏极的右端面与所述的晶化层的右端面位于同一平面，所述的源极的上端面、所述的口袋的上端面、所述的硅基沟道的上端面和所述的漏极的上端面位于同一平面，所述的源极的前端面、所述的口袋的前端面、所述的硅基沟道的前端面和所述的漏极的前端面位于同一平面且该平面位于所述的晶化层的前端面所在平面的后侧，所述的源极的后端面、所述的口袋的后端面、所述的硅基沟道的后端面和所述的漏极的后端面位于同一平面且该平面位于所述的晶化层的后端面所在平面的前侧，所述的源极的后端面所在平面与所述的晶化层的后端面所在平面之间的距离等于所述的源极的前端面所在平面与所述的晶化层的前端面所在平面之间的距离；

将两个所述的栅极分别称为第一栅极和第二栅极，将两个所述的栅介质层分别称为第一栅介质层和第二栅介质层。所述的第一栅介质层位于所述的硅基沟道和所述的口袋的前侧，所述的第一栅介质层的下端面与所述的晶化层的上端面贴合固定连接，所述的第一栅介质层的后端面分别与所述的硅基沟道的前端面和所述的口袋的前端面贴合固定连接，所述的第一栅介质层的左端面与所述的口袋区的左端面位于同一平面，所述的第一栅介质层的右端面与所述的硅基沟道的右端面位于同一平面，所述的第一栅介质层的上端面与所述的硅基沟道的上端面位于同一平面；所述的第一栅极位于所述的第一栅介质层的前侧，所述的第一栅极的后端面与所述的第一栅介质层的前端面贴合固定连接，所述的第一栅极的下端面与所述的晶化层的上端面贴合固定连接，所述的第一栅极的左端面与所述的第一栅介质层的左端面位于同一平面，所述的第一栅极的右端面与所述的第一栅介质层的右端面位于同一平面，所述的第一栅极的前端面与所述的晶化层的前端面位于同一平面，所述的第一栅极的上端面与所述的第一栅介质层的上端面位于同一平面；

所述的第二栅介质层位于所述的硅基沟道和所述的口袋的后侧，所述的第二栅介质层的下端面与所述的晶化层的上端面贴合固定连接，所述的第二栅介质层的前端面分别与所述的硅基沟道的后端面和所述的口袋的后端面贴合固定连接，所述的第二栅介质层的左端面与所述的口袋区的左端面位于同一平面，所述的第二栅介质层的右端面与所述的硅基沟道的右端面位于同一平面，所述的第二栅介质层的上端面与所述的硅基沟道的上端面位于同一平面；所述的第二栅极位于所述的第二栅介质层的后侧，所述的第二栅极的前端面与所述的第二栅介质层的后端面贴合固定连接，所述的第二栅极的下端面与所述的晶化层的上端面贴合固定连接，所述的第二栅极的左端面与所述的第二栅介质层的左端面位于同一平面，所述的第二栅极的右端面与所述的第二栅介质层的右端面位于同一平面，所述的第二栅极的后端面与所述的晶化层的后端面位于同一平面，所述的第二栅极的上端面与所述的第二栅介质层的上端面位于同一平面；

所述的漏极沿左右方向的长度等于所述的源极沿左右方向的长度，所述的第一栅极沿前后方向的长度等于所述的第二栅极沿前后方向的长度，所述的第一栅介质层沿前后方向的长度等于所述的第二栅介质层沿前后方向的长度，所述的口袋沿左右方向的长度小于所述的硅基沟道沿左右方向的长度，所述的口袋沿左右方向的长度与所述的硅基沟道沿左右方向的长度之和等于所述的漏极沿左右方向的长度。