[发明专利]单扩散区切断的形成方法

权利要求书

1.一种单扩散区切断的形成方法，其特征在于，所述方法包括：

在硅衬底上形成若干条状鳍片和虚拟栅极，所述虚拟栅极的两侧形成有侧墙；

在所述条状鳍片上形成源极和漏极；

沉积层间介质层，并对所述层间介质层进行化学机械平坦化CMP，露出所述虚拟栅极的顶部；

将所述虚拟栅极替换为金属栅极；

刻蚀所述金属栅极的顶部，得到接触窗口；

进行光刻工艺，露出部分金属栅极，露出的金属栅极用于制作单扩散区切断；

刻蚀露出的金属栅极及所述露出的金属栅极下方的硅，形成单扩散区沟槽；

沉积填充材料并进行CMP，形成所述单扩散区切断，所述填充材料用于填充所述接触窗口和所述单扩散区沟槽。

2.根据权利要求1的方法，其特征在于，所述将所述虚拟栅极替换为金属栅极，包括：

通过光刻、刻蚀工艺去除所述虚拟栅极，形成沟槽；

沉积界面氧化层、高k介质层、金属层，在所述沟槽内形成所述金属栅极。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蚀露出的金属栅极及所述露出的金属栅极下方的硅，形成所述单扩散区沟槽，包括：

刻蚀去除所述露出的金属栅极；

刻蚀所述露出的金属栅极下方的硅至所述预定深度，形成所述单扩散区沟槽。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述刻蚀去除所述露出的金属栅极，包括：

通过干法刻蚀或湿法刻蚀工艺去除所述露出的金属栅极。

5.根据权利要求1至4任一所述的方法，其特征在于，所述单扩散区切断的深度为300至2000埃。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述填充材料为氮化硅、氧碳氮化硅、二氧化硅、碳氮化硅、多晶硅中的任意一种。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述沉积填充材料并进行CMP，形成所述单扩散区切断，所述填充材料用于填充所述接触窗口和所述单扩散区沟槽，包括：

去除光刻工艺中的光刻胶或硬掩模；

沉积所述填充材料并进行CMP，形成所述单扩散区切断，所述填充材料用于填充所述接触窗口和所述单扩散区沟槽。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述层间介质层的材料为氮氧化硅或二氧化硅。