[发明专利]存储器系统以及操作存储器系统的方法在审

专利信息
申请号: 201911133027.7 申请日: 2019-11-19
公开(公告)号: CN112185449A 公开(公告)日: 2021-01-05
发明(设计)人: 金钟旭 申请(专利权)人: 爱思开海力士有限公司
主分类号: G11C16/34 分类号: G11C16/34
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 刘久亮;黄纶伟
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 存储器 系统 以及 操作 方法
【说明书】:

本技术涉及一种存储器系统以及操作存储器系统的方法。该存储器系统包括:存储器装置,其包括多个半导体存储器;以及控制器,其用于在操作期间控制存储器装置对所述多个半导体存储器中的每一个执行测试编程操作和阈值电压分布监测操作。控制器基于作为阈值电压分布监测操作的结果获得的监测信息来设定各个半导体存储器的操作性能参数。

技术领域

本公开涉及电子装置,更具体地,涉及一种存储器系统以及操作该存储器系统的方法。

背景技术

最近,计算机环境的范式已转变为普适计算,其使得计算机系统能够随时随地使用。因此,诸如移动电话、数字相机和笔记本计算机的便携式电子装置的使用快速增加。这种便携式电子装置通常使用存储器系统,该存储器系统使用存储器装置(即,数据存储装置)。数据存储装置用作便携式电子装置的主存储装置或辅助存储装置。

使用存储器装置的数据存储装置具有这样的优点:由于不存在机械驱动器,所以稳定性和耐久性优异,信息的存取速度非常快,并且功耗低。作为具有这些优点的存储器系统的示例,数据存储装置包括通用串行总线(USB)存储器装置、具有各种接口的存储卡、固态驱动器(SSD)等。

存储器装置被大致分成易失性存储器装置和非易失性存储器装置。

非易失性存储器装置的写入速度和读取速度相对低,然而,非易失性存储器装置即使电源被切断也维持存储数据。因此,非易失性存储器装置用于存储不管电源如何均要维持的数据。非易失性存储器装置包括只读存储器(ROM)、掩模ROM(MROM)、可编程ROM(PROM)、可擦除可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、闪存、相变随机存取存储器(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻RAM(RRAM)、铁电RAM(FRAM)等。闪存被分为NOR型和NAND型。

发明内容

根据本公开的实施方式的存储器系统包括:存储器装置,其包括多个半导体存储器;以及控制器,其用于在操作期间控制存储器装置对所述多个半导体存储器中的每一个执行测试编程操作和第一阈值电压分布监测操作。控制器基于作为第一阈值电压分布监测操作的结果获得的第一监测信息来设定各个半导体存储器的操作性能参数。

根据本公开的实施方式的存储器系统包括:存储器装置,其包括多个半导体存储器,各个半导体存储器包括多个存储块;以及控制器,其被配置为控制存储器装置在通电操作期间执行cam数据读操作并基于从存储器装置接收的cam数据来设定各个半导体存储器的操作性能参数。所述多个半导体存储器中的每一个依次执行测试编程操作、第一阈值电压分布监测操作、测试擦除操作和第二阈值电压分布监测操作,并且将作为第一阈值电压分布监测操作和第二阈值电压分布监测操作的结果获得的监测信息作为cam数据存储在所述多个存储块当中的cam块中。

根据本公开的实施方式的操作存储器系统的方法包括以下步骤:对所选存储块执行测试编程操作和第一阈值电压分布监测操作;对执行了测试编程操作的所选存储块执行测试擦除操作和第二阈值电压分布监测操作;基于第一阈值电压分布监测操作的结果和第二阈值电压分布监测操作的结果来设定所选存储块的操作性能参数;以及在所选存储块的所有操作期间参考操作性能参数执行所有操作。

附图说明

图1是用于描述根据本公开的实施方式的存储器系统的框图。

图2是用于描述图1的控制器的配置的框图。

图3是用于描述图1的半导体存储器的图。

图4是用于描述图3的存储块的图。

图5是用于描述三维配置的存储块的实施方式的图。

图6是用于描述根据本公开的实施方式的存储器系统的操作的流程图。

图7是用于描述存储器单元的阈值电压分布的阈值电压分布图。

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